詳解TINY6410硬件電路設(shè)計(jì)之一
對(duì)于嵌入式硬件工程師來(lái)說(shuō),在不同的公司有不同的待遇和工作:在研究所之類(lèi)的國(guó)企,你有充足的時(shí)間和關(guān)系來(lái)完成嵌入式的硬件設(shè)計(jì),在面對(duì)市場(chǎng)的企業(yè),你必須有直面問(wèn)題,解決問(wèn)題的能力。企業(yè)以利益最大化為目標(biāo)進(jìn)行日常操作,這就不奇怪企業(yè)為了節(jié)省成本來(lái)進(jìn)行硬件電路的修改。對(duì)于嵌入式來(lái)說(shuō),有三個(gè)部分是最重要的,那就是CPU,NANDFLASH電路和SDRAM電路。這三個(gè)部分可以看作是整個(gè)嵌入式系統(tǒng)的大腦,神經(jīng)元和腦容量。只有三者配合良好,性能最優(yōu)才算是嵌入式系統(tǒng)可以工作,剩余的工作就是端口的擴(kuò)展了。我接觸的第一塊ARM板子是友善的TINY6410,硬件電路也經(jīng)常拿來(lái)分析,現(xiàn)在以我的感悟聊聊嵌入式的神經(jīng)元部分----NANDFLASH電路。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/267639.htm由于S3C6410集成了NANDFLASH控制器,所以可以方便的進(jìn)行NANDFLASH的連接。該板子采用SUNSUNG的K9F2G08X0B(256M x 8 Bit NAND Flash Memory)作為NANDFLASH存儲(chǔ)器。首先,來(lái)分析下NANDFLASH的內(nèi)存大小,下圖引用自K9F2G08X0Bdatasheet。
從圖中可以看出該NANDFLASH全部大小為:
2048(block)*64(page)*(2K+64)(byte)=(2112Mbits=)264Mbyte
如果不考慮每頁(yè)的64byte的校驗(yàn),那么該NANDFLASH的大小為
2048(block)*64(page)*(2K)(byte)=(26843546Mbits=)256Mbyte,那么和文章開(kāi)始的256M可以對(duì)應(yīng)上。那么8bit什么意思呢?
從上圖中可以看出,該NANDFLASH的位寬為8位,那么也不難理解為什么寫(xiě)成K9F2G08X0B(256M x 8 Bit NAND Flash Memory)了。
既然已經(jīng)了解NANDFLASH的特性,下一步查看如何將該NANDFLASH和S3C6410連接起來(lái)。K9F2G08X0B和CPU6410的硬件連接如下:
S3C 6410核心板NANDFLASH接口
K9F2G08X0B 連接網(wǎng)絡(luò)
從K9F2G08X0B的數(shù)據(jù)手冊(cè)中可以知道,該NANDFLASH為8位寬的,因此選用S3C6410的LDATA0-7為數(shù)據(jù)通道進(jìn)行數(shù)據(jù)的傳輸。而對(duì)于16位的NANDFLASH K4X1G163PE - FGC6(8)(64Mx16 Mobile DDR SDRAM (VDD/VDDQ 1.8V/1.8V))則使用LDATA0-15。
關(guān)于NANDFLASH的操作,早期的會(huì)有一個(gè)A8位作為上下半頁(yè)的判斷,隨著時(shí)代的發(fā)展,現(xiàn)在的NANDFLASH操作起來(lái)更加方便和容易。對(duì)于K9F2G08X0B來(lái)說(shuō),其數(shù)據(jù)傳送周期如下:
評(píng)論