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          Diodes全新MOSFET柵極驅(qū)動器提升轉(zhuǎn)換效率
          
						
          
				作者：
				時間：2015-01-08
				來源：電子產(chǎn)品世界
				
				
				
				
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          　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出一對1A額定值的40V緊湊型柵極驅(qū)動器ZXGD3009E6及ZXGD3009DY，旨在控制板上和嵌入式電源以及電機驅(qū)動電路的高電流功率MOSFET。ZXGD3009E6 (采用SOT26封裝) 和 ZXGD3009DY (采用SOT363封裝) 可縮減MOSFET的開關(guān)時間，有助于盡量降低開關(guān)損耗、改善功率密度，以及提升整體轉(zhuǎn)換效率。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/267882.htm

          　　新驅(qū)動器作為低功率控制IC的高增益緩沖級，能夠從僅10mA的輸入電流提供500mA的典型驅(qū)動電流，從而使功率MOSFET電容負(fù)載實現(xiàn)快速充放電功能。驅(qū)動器具有超速開關(guān)，而且提供少于5ns的傳遞延遲時間，以及少于20ns的升降時間。
          

          　　兩款ZXGD3009系列的產(chǎn)品通過分開的抽灌輸出來獨立控制MOSFET的開關(guān)時間，使MOSFET的工作模式更能滿足應(yīng)用的需求。器件能以正負(fù)電壓驅(qū)動?xùn)艠O，確保功率MOSFET硬關(guān)斷的可靠性 。
          

          　　新柵極驅(qū)動器備有堅固的射極跟隨器，以防止閉鎖和擊穿現(xiàn)象，并能承受高達2A的峰值電流。兩款產(chǎn)品提供的40V寬廣工作電壓范圍，加上功率MOSFET柵極驅(qū)動，也使它們能處理遠(yuǎn)超于功率MOSFET柵極驅(qū)動常見的12V電壓尖峰。
          

          　　如欲了解進一步產(chǎn)品信息，請訪問www.diodes.com。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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            			            Diodes
                        驅(qū)動器
                        MOSFET
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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