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          適用于可見光通信的LED器件

          作者: 時(shí)間:2015-01-13 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            臺(tái)灣中央大學(xué)的許晉瑋等人通過串聯(lián)的方式也有效提高了調(diào)制速率,其出發(fā)點(diǎn)也是基于對RC時(shí)間的優(yōu)化。假如N個(gè)相同的串聯(lián),電阻值將線性增加R總=N.R,而電容值線性降低C總=C/N.這樣雖然RC時(shí)間沒有發(fā)生變化。但是,一般器件都要外接負(fù)載,那么實(shí)際RC就是(N.R+R0)。C/N,因此,就小于單個(gè)相同面積的RC(RC+N.R0C),從而可以有效提高調(diào)制帶寬。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/268084.htm

            2.2降低載流子自發(fā)輻射壽命

            可見光(VLC)通信系統(tǒng)一般都工作在大電流區(qū)域范圍內(nèi),因此還需要研究不同電流下頻率響應(yīng)。圖6是不同電流下,器件頻率響應(yīng)曲線。外加驅(qū)動(dòng)電流越大,電光轉(zhuǎn)換(E-O)的3 dB帶寬也會(huì)越大.從圖6可以看出,120 mA下調(diào)制頻率大約是40 mA下的2倍。主要因?yàn)榧ぷ訌?fù)合幾率正比于注入載流子密度.大電流下,注入的載流子濃度增加,因而激子復(fù)合幾率增加,輻射復(fù)合載流子壽命降低,E-O快速響應(yīng)。

            

           

            圖6不同電流對器件調(diào)制頻率的影響

            影響載流子自發(fā)輻射壽命的因素很多,一般來說,外部因素主要是來源于注入載流子的濃度;而內(nèi)部因素主要是由于器件自身的結(jié)構(gòu)以及其他復(fù)合通道等。

            伊利諾伊大學(xué)香檳分校的M. Feng等人,通過一種類似異質(zhì)結(jié)雙極發(fā)光晶體管(HBLET)的LED將調(diào)制速率提高了一個(gè)量級(jí),達(dá)到吉赫茲量級(jí)。HBLET是一種3端口發(fā)光器件(一個(gè)電輸入端、一個(gè)電輸出端、一個(gè)光輸出端),器件中量子阱有源區(qū)合并到基區(qū),提高了電學(xué)和光學(xué)的性質(zhì),而高速LED結(jié)構(gòu)和HBLET相似。在60 mA驅(qū)動(dòng)電流下,器件的E-O調(diào)制頻率高達(dá)7 GHz,但是功率很小,大約僅為13.8μW.圖7為器件(n-p-n結(jié)構(gòu))的結(jié)構(gòu)示意圖,可以看到發(fā)射極接負(fù)電壓,基極和集電極(這個(gè)也叫漏極Drain)接正極,這樣發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏。因?yàn)榛鶚O和漏極同一電位,基極-漏極邊界沒有電荷分布積累,交流驅(qū)動(dòng)下,在基區(qū)建立動(dòng)態(tài)的發(fā)射極與漏極的電荷分布。因此,基區(qū)的過剩載流子自發(fā)輻射復(fù)合的壽命就大于從發(fā)射極到漏極的傳輸時(shí)間,使得載流子還沒有來得及復(fù)合,就被內(nèi)建反向電場掃到漏極,僅保留快速的載流子復(fù)合發(fā)光,從而提高了調(diào)制速度。

            

           

            圖7高速Tilted-charge LED結(jié)構(gòu)

            圖8給出了E-O的頻率測試結(jié)果。調(diào)制頻率非常高,并且隨著電流的增加,調(diào)制速度提高,在60 mA時(shí)達(dá)到7 GHz.這個(gè)結(jié)果和塑料光纖發(fā)光二極管(POF-LED)結(jié)果相同。但是存在一個(gè)很大的問題是,器件的功率非常小,3 V的正向偏壓下,驅(qū)動(dòng)電流達(dá)到60 mA,所對應(yīng)的光功率只有15μW,完全不適用于照明LED,不過該工作也提供了一種改進(jìn)大功率LED帶寬的思路。

            

           

            圖8不同驅(qū)動(dòng)電流IE下的頻率特性(電荷傾斜分布LED(25℃))

            材料中的載流子復(fù)合機(jī)制包括輻射復(fù)合、非輻射復(fù)合。表面等離激元耦合是除了前面兩者外第3種能量傳遞通道也能夠影響輻射復(fù)合載流子壽命,提高LED調(diào)制帶寬。

            加州理工學(xué)院的Koichi Okamoto等人首次在LED上利用表面等離激元,得到出光增加的效果。如圖9所示,載流子復(fù)合的能量轉(zhuǎn)換有多個(gè)途徑,包括輻射復(fù)合、非輻射復(fù)合以及量子阱-表面等離激元(QW-SP)耦合。非輻射復(fù)合不能產(chǎn)生光子,能量最終以熱的形式耗散掉了;輻射復(fù)合能夠產(chǎn)生光子,產(chǎn)生的光子有一部分能夠溢出器件,逃逸出的光子數(shù)能通過外量子效率反映。圖9中黑色箭頭表示QW-SP耦合的可能形式。載流子復(fù)合后能量沒有直接轉(zhuǎn)換為光子,而是耦合到距離比較近(30 nm左右)的表面等離激元中(SP),然后再以輻射的形式將能量放出到LED外面。這個(gè)過程的速度遠(yuǎn)比輻射復(fù)合能量轉(zhuǎn)換速度快。490 nm波長下,差異明顯減小,這個(gè)是由于QW-SP耦合波長在藍(lán)光,因此長波長的位置,能量耦合減弱,差異減小。

            

           

            圖9電子空穴復(fù)合時(shí)QW與表面SP耦合

            通過Al組分調(diào)控以及delta摻雜技術(shù),同樣可以實(shí)現(xiàn)LED器件帶寬的提高。Al組分調(diào)控,原理主要是改變能帶結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)空穴的有效注入,調(diào)控極化電場,從而實(shí)現(xiàn)調(diào)制帶寬的提高,300 mA工作電流下,帶寬從23.5 MHz提高到25.5 MHz;delta摻雜技術(shù),實(shí)現(xiàn)了載流子的大量注入,從而降低了載流子壽命,實(shí)現(xiàn)相同電流密度下,調(diào)制帶寬的提高。圖10給出了delta摻雜后器件的眼圖。

            

           

            圖10 Delta摻雜的LED器件在40 mA的260 Mb/s眼圖

            3結(jié)束語

            隨著光效的提高和成本的降低,LED已經(jīng)被廣泛地應(yīng)用于信息顯示和各種功能性照明??梢?a class="contentlabel" href="http://www.ex-cimer.com/news/listbylabel/label/光通信">光通信利用了LED相比傳統(tǒng)光源高光效和高響應(yīng)速率的特點(diǎn),在照明的同時(shí),實(shí)現(xiàn)無線數(shù)據(jù)傳輸功能。常規(guī)的白光LED器件調(diào)制帶寬通常只有3~5 MHz,制約了可見系統(tǒng)帶寬的進(jìn)一步提高,通過適當(dāng)?shù)恼{(diào)整材料和芯片的結(jié)構(gòu),優(yōu)化器件工藝參數(shù),引入表面等離激元等新的輻射復(fù)合機(jī)制等方式能夠有效的提高LED器件調(diào)制帶寬,進(jìn)一步拓展可見系統(tǒng)的應(yīng)用范圍。

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