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          學(xué)會(huì)模擬電路基礎(chǔ),高分妥妥滴~~~

          作者:蔣雅嫻 時(shí)間:2015-01-23 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            導(dǎo)讀:本文主要介紹半導(dǎo)體及基本電路,這是學(xué)好的關(guān)鍵所在,希望這些對(duì)親們有所幫助哦!!!!

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/268568.htm

          一. 基礎(chǔ)--半導(dǎo)體的基本知識(shí)

            根據(jù)物體導(dǎo)電能力(電阻率)的不同,劃分為導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。典型的半導(dǎo)體有硅Si和鍺Ge以及砷化鎵GaAs等。

            半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)

            硅和鍺是四價(jià)元素,在原子最外層軌道上的四個(gè)電子稱為價(jià)電子。它們分別與周圍的四個(gè)原子的價(jià)電子形成共價(jià)鍵。原子按一定規(guī)律整齊排列,形成晶體點(diǎn)陣后,結(jié)構(gòu)圖為:

            本征半導(dǎo)體、空穴及其導(dǎo)電作用

            本征半導(dǎo)體----完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體。

            當(dāng)T=0K和無(wú)外界激發(fā)時(shí),導(dǎo)體中沒(méi)有載流子,不導(dǎo)電。當(dāng)溫度升高或受到光的照射時(shí),價(jià)電子能量越高,有的價(jià)電子可以掙脫原子核的束縛,而參與導(dǎo)電,成為自由電子,這個(gè)過(guò)程就叫做本征激發(fā)。

            自由電子產(chǎn)生的同時(shí),在其原來(lái)的共價(jià)鍵中就出現(xiàn)了一個(gè)空位,這個(gè)空位為空穴。因熱激發(fā)而出現(xiàn)的自由電子和空穴是同時(shí)成對(duì)出現(xiàn)的,稱為電子空穴對(duì)。

            N型半導(dǎo)體(電子型半導(dǎo)體)

            在本征半導(dǎo)體中摻入五價(jià)的元素(磷、砷、銻)

            P型半導(dǎo)體(空穴型半導(dǎo)體)

            在本征半導(dǎo)體中摻入三價(jià)的元素(硼)

          二. 基礎(chǔ)--的形成及特性

            的形成

            在一塊本征半導(dǎo)體兩側(cè)通過(guò)擴(kuò)散不同的雜質(zhì),分別形成N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體。的形成過(guò)程為

            PN結(jié)的單向?qū)щ娦?/p>

            PN結(jié)的單向?qū)щ娦跃褪侵窹N結(jié)正向電阻小,反向電阻大。

            (1)PN結(jié)加正向電壓

            外加的正向電壓,方向與PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)方向相反,削弱了內(nèi)電場(chǎng)。于是,內(nèi)電場(chǎng)對(duì)多子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的阻礙減弱,擴(kuò)散電流加大。擴(kuò)散電流遠(yuǎn)大于漂移電流,可忽略漂移電流的影響,PN結(jié)呈現(xiàn)低阻型。

            (2)PN結(jié)加反向電壓

            外加的反向電壓,方向與PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)方向相同,加強(qiáng)了內(nèi)電場(chǎng)。于是,內(nèi)電場(chǎng)對(duì)多子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的阻礙增強(qiáng),擴(kuò)散電流大大減小。此時(shí)漂移電流大于擴(kuò)散電流,可忽略擴(kuò)散電流,PN結(jié)呈現(xiàn)高阻型。

          三. --半導(dǎo)體

            :一個(gè)PN結(jié)就是一個(gè)二極管。

            電路符號(hào):

            半導(dǎo)體二極管的伏安特性曲線

            (1)正向特性曲線

            正向區(qū)分為兩段:

            當(dāng)0

            當(dāng)V>Vth時(shí),開(kāi)始出現(xiàn)正向電流,并按指數(shù)規(guī)律增長(zhǎng)。

            (2)反向特性曲線

            反向區(qū)也有兩個(gè)區(qū)域:

            當(dāng)VBR

            當(dāng)V>VBR時(shí),反向電流急劇增加,VBR稱為反向擊穿電壓。

            (3)反向擊穿特性

            硅二極管的反向擊穿特性比較硬、比較陡、反向飽和電流也很小;鍺二極管的反向擊穿特性比較軟,過(guò)渡比較圓滑,反向飽和電流較大。

            若|VBR|>7Vs時(shí),主要是雪崩擊穿;若|VBR|<4V時(shí),則主要是齊納擊穿。

          四. --二極管基本電路分析

            1.理想模型

            正向偏置時(shí):管壓降為0,電阻也為0.

            反向偏置時(shí):電流為0,電阻為無(wú)窮大。

            2.恒壓降模型

            當(dāng)ID>1mA時(shí),VD=0.7V。

            3.折線模型(實(shí)際模型)

            以上就是小編為大家介紹的模擬電路的基礎(chǔ)知識(shí)了,如果您想深入學(xué)習(xí)模擬電路的知識(shí)的話,請(qǐng)您參考一下幾篇文章

            1.二極管工作原理

            2.場(chǎng)效應(yīng)管工作原理- -場(chǎng)效應(yīng)管工作原理也瘋狂

            3. 模擬集成電路走上復(fù)蘇路

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