哪一個(gè)更簡(jiǎn)單,選擇熱插拔控制器,還是功率MOSFET?
我曾經(jīng)遇到過節(jié)假日有客人上門,必須跑到商店,在關(guān)門前挑選幾件物品的情況。我當(dāng)時(shí)就意識(shí)到“跑”這個(gè)單詞會(huì)有多少種意思呢。我聽說單單作為動(dòng)詞,他就有645個(gè)意思,并且還在不斷增加!表面上看起來(lái)很簡(jiǎn)單的事情實(shí)際上會(huì)很復(fù)雜。想一想,功率MOSFET只有三個(gè)引腳(柵極、源極、漏極)。長(zhǎng)假過后,當(dāng)回到辦公室開始設(shè)計(jì)全新的電源管理熱插拔應(yīng)用時(shí),我想到看起來(lái)簡(jiǎn)單的功率MOSFET會(huì)有多么復(fù)雜,還有就是在為熱插拔應(yīng)用和功率轉(zhuǎn)換分別選擇一款MOSFET時(shí)會(huì)有什么不同。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/269194.htm熱插拔電路使用一個(gè)功率MOSFET作為串聯(lián)限流器件,并且控制啟動(dòng)涌入電流和故障電流。瞬變和故障事件發(fā)生期間,MOSFET的能耗會(huì)大于穩(wěn)定狀態(tài)下消耗的電能,并且會(huì)超過MOSFET的發(fā)熱限值,所以設(shè)計(jì)人員必須確保MOSFET在其安全工作區(qū)(SOA)內(nèi)運(yùn)行。有很多不錯(cuò)的資源可以幫助設(shè)計(jì)人員選擇一款合適的MOSFET來(lái)滿足所有事件區(qū)域內(nèi)的功率耗散要求。請(qǐng)閱讀“穩(wěn)健耐用的熱插拔設(shè)計(jì)”來(lái)了解與MOSFET選擇相關(guān)的設(shè)計(jì)過程。
圖1:看起來(lái)簡(jiǎn)單的N通道MOSFET
德州儀器(TI)還提供針對(duì)熱插拔應(yīng)用的詳細(xì)Excel表格計(jì)算器。此應(yīng)用使用應(yīng)用注釋中列出的方法進(jìn)行功率限制。這里有一個(gè)設(shè)計(jì)計(jì)算器的鏈接,此計(jì)算器特有TPS27420,一款支持電流監(jiān)控的2.5V至18V熱插拔控制器。熱插拔和電子熔絲(e-fuse)計(jì)算器的完整列表請(qǐng)單擊這里。對(duì)于TPS27420,一款值得考慮的功率MOSFET協(xié)同器件是采用5mmx6mm SON封裝的全新30V CSD17570Q5B。這款MOSFET在其封裝尺寸內(nèi)特有業(yè)界最低的0.56毫歐導(dǎo)通電阻(典型值,VGS=10V),并且專門針對(duì)高電流熱插拔應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。
一個(gè)檢查MOSFET是否能夠耐受熱插拔應(yīng)用中DC或單脈沖電流的快速方法就是查看MOSFET SOA曲線。這些SOA曲線通常假定結(jié)溫從25°C的環(huán)境溫度上升到額定最大結(jié)溫,在這個(gè)情況下為150°C。然而,散熱要求常常需要在更高的起始溫度上運(yùn)行,并且圖中的數(shù)據(jù)必須根據(jù)等式1針對(duì)較低的溫度上升值進(jìn)行調(diào)整,其中SOAT代表在任意溫度T上的SOA性能,SOAJMAX代表制造商SOA曲線的一個(gè)特定點(diǎn)上的性能,而TJMAX和TA代表峰值和環(huán)境結(jié)溫。
等式1:SOAT=SOAJMAXx(TJMAX–T)/(TJMAX–TA)
圖2:CSD17570Q5B在25°C時(shí)的最大安全工作區(qū)
例如,SOA曲線顯示CSD17570Q5B在25°C,1ms脈沖,最大輸入12V的條件下能夠耐受15A(或180W)的電流。比如說,當(dāng)MOSFET工作結(jié)溫為79°C時(shí),功率性能降為102W=180W*(150-79)/(150–25)。
較短的單音節(jié)詞看起來(lái)簡(jiǎn)單,但是意思很復(fù)雜-這也一定是他們?cè)谂琶?0歌曲的歌詞中被廣泛使用的原因。引腳數(shù)量低的集成電路也可以很復(fù)雜。所以,我投功率MOSFET一票。
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評(píng)論