突破細微化極限！東芝攜手海力士研發(fā)納米壓印技術(shù)

　　全球第2大NAND型快閃存儲器 (Flash Memory)廠商東芝 ( Toshiba )5日發(fā)布新聞稿宣布，為加快次世代半導體露光技術(shù)「納米壓印技術(shù)(Nano-imprint Lithography;NIL)」的研發(fā)腳步，已和南韓半導體大廠SK 海力士 (SK Hynix )正式簽署契約，雙方技術(shù)人員將自2015年4月起透過東芝橫濱事業(yè)所攜手研發(fā)NIL制程的關(guān)鍵技術(shù)，目標為在2017年實用化。

　　東芝于去年12月和SK海力士(SK Hynix)就NAND Flash侵權(quán)案一事達成和解，海力士(Hynix)除同意支付東芝2.78億美元(約330億日圓)和解金外，雙方當時也宣布將攜手研發(fā)被稱為「納米壓印(Nanoimprint)」的次世代半導體露光技術(shù)。

　　據(jù)日經(jīng)新聞指出，東芝已于2014年開始量產(chǎn)全球最先端的15nm NAND Flash產(chǎn)品，而就現(xiàn)行技術(shù)來看，15nm被視為是存儲器電路線幅細微化的極限，而東芝期望借由研發(fā)NIL技術(shù)、突破細微化極限，讓已逼近極限的電路線幅能進一步細微化，以借此提高產(chǎn)品性能及成本競爭力。

　　日經(jīng)指出，東芝目前已和Canon攜手研發(fā)NIL制造設(shè)備，而東芝和SK 海力士(SK Hynix)于NIL制程技術(shù)的研發(fā)成果也將回饋至制造設(shè)備的研發(fā)上。

　　另據(jù)日刊工業(yè)新聞指出，東芝期望藉由NIF技術(shù)的實用化來降低3D NAND Flash的成本。