意法半導(dǎo)體(ST)擴(kuò)大碳化硅MOSFET產(chǎn)品系列，為更多應(yīng)用帶來寬帶隙技術(shù)優(yōu)勢(shì)

　　意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST) 推出新款SCT20N120碳化硅功率MOSFET晶體管，其先進(jìn)的能效與卓越的可靠性將為更多節(jié)能應(yīng)用帶來技術(shù)優(yōu)勢(shì)，包括純電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車的逆變器、太陽能或風(fēng)力發(fā)電、高能效驅(qū)動(dòng)器、電源以及智能電網(wǎng)設(shè)備。

　　意法半導(dǎo)體是業(yè)界少數(shù)具有高可靠性、高能效碳化硅功率半導(dǎo)體研發(fā)的領(lǐng)導(dǎo)廠商之一，并始終致力于技術(shù)的研發(fā)與升級(jí)。這次推出的1200V SCT20N120進(jìn)一步擴(kuò)大了碳化硅MOSFET產(chǎn)品系列，具有小于290m?的通態(tài)電阻 (RDS(ON)) 及高達(dá)200°C的最大工作結(jié)溫等諸多特性優(yōu)勢(shì);其高度穩(wěn)定的關(guān)斷電能 (Eoff) 和柵電荷 (Qg) 可使開關(guān)性能在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)表現(xiàn)始終如一。最終的低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗配合超低泄漏電流，將有助于簡(jiǎn)化熱管理設(shè)計(jì)，并最大限度地提高可靠性。

　　除更低的電能損耗外，意法半導(dǎo)體的碳化硅MOSFET的開關(guān)頻率也同樣出色，較同等級(jí)的硅絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 高出三倍，這讓設(shè)計(jì)人員能夠使用更小的外部元器件，進(jìn)而降低產(chǎn)品尺寸、重量以及材料成本。SCT20N120的耐高溫性可大幅度簡(jiǎn)化電源模塊、電動(dòng)汽車等應(yīng)用的散熱系統(tǒng) (cooling-system) 設(shè)計(jì)。

　　SCT20N120采用意法半導(dǎo)體獨(dú)有的HiP247™封裝，其更高的熱效率可使管子在最大工作溫度高達(dá)200°C時(shí)，依然能夠維持與TO-247 工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)功率封裝外觀兼容。

　　SCT20N120目前已開始量產(chǎn)，詳情請(qǐng)瀏覽：http://www.st.com/sicmos