Wide I/O、HBM、HMC將成存儲器新標(biāo)準(zhǔn)

　　現(xiàn)行的DDR4及LPDDR4存儲器都是以既有的DRAM設(shè)計(jì)為基礎(chǔ)，其中許多技術(shù)已沿用長達(dá)十余年，而今無論是系統(tǒng)總頻寬或中央處理器(CPU)等作業(yè)環(huán)境都不可同日而語。有鑒于此，發(fā)展新的解決方案為眼下業(yè)界的共識，Wide I/O、HBM及HMC等三大新存儲器標(biāo)準(zhǔn)遂成業(yè)界關(guān)注重點(diǎn)。

　　據(jù)ExtremeTech網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)指出，過去近20年來存儲器規(guī)格已從第一代的SDRAM DIMM發(fā)展至DDR4-3200，成長高達(dá)48倍。因此，現(xiàn)今業(yè)界雖針對是否應(yīng)進(jìn)一步以此標(biāo)準(zhǔn)定義DDR5有所爭議，更多人卻傾向發(fā)展新的存儲器標(biāo)準(zhǔn)。

　　Wide I/O的設(shè)計(jì)旨在為移動系統(tǒng)單芯片(SoC)提供高頻寬、低功耗的存儲器，主要吸引的是智能型手機(jī)及嵌入式系統(tǒng)公司，目前的發(fā)展主力為三星電子(Samsung Electronics)。

　　Wide I/O為此標(biāo)準(zhǔn)的第一代版本，符合JEDEC規(guī)格，然預(yù)計(jì)會正式普及到市場的應(yīng)是第二代的Wide I/O 2。三星投注大量心力在此技術(shù)研發(fā)上，目前雖未有明確的時(shí)程目標(biāo)，但2015年下半可望看到初步成果。

　　另一項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)則為英特爾(Intel)及美光(Micron)共同主導(dǎo)的混合存儲器立方體(Hybrid Memory Cube;HMC)，擁有超大頻寬，但功耗與成本也較Wide I/O 2有過之而無不及。英特爾與美光表示，HMC頻寬可達(dá)400GB/s，預(yù)計(jì)將于2017年開始商業(yè)應(yīng)用。

　　HMC除了是最為昂貴的新標(biāo)準(zhǔn)外，還擁有一大發(fā)展目標(biāo)，亦即擺脫現(xiàn)行DIMMS的二重控制邏輯，簡化設(shè)計(jì)，采用3D堆疊技術(shù)，并以單一控制邏輯層處理所有讀寫流量。

　　專為圖像處理器(GPU)設(shè)計(jì)的則為另一款高頻寬存儲器(High Bandwidth Memory;HBM)標(biāo)準(zhǔn)，目前超微(AMD)及NVIDIA皆計(jì)劃從下一代GPU開始采用此標(biāo)準(zhǔn)，其中NVIDIA預(yù)計(jì)將以2016年推出的Pascal為此標(biāo)準(zhǔn)的首波代表。

　　未來采用HBM標(biāo)準(zhǔn)的GPU在主要存儲器頻寬上可望達(dá)到512GB/s，與目前的336GB/s相比高下立見。在成本與頻寬兩方面，HBM都算是“中庸”之選，且有可能搶在三星推出Wide I/O 2前率先問世。

　　總體而言，傳統(tǒng)的DDR標(biāo)準(zhǔn)雖然價(jià)格可親，但能源功率相對較差;后起之秀Wide I/O 2、HBM及HMC等雖強(qiáng)化了功率及頻寬，但因成本居高不下，現(xiàn)階段仍只能做為企業(yè)或圖像處理應(yīng)用。

　　不過毋庸置疑的是，這三項(xiàng)嶄新的存儲器標(biāo)準(zhǔn)勢必會在存取速度及整體效能上帶來重大突破，為業(yè)界掀起一波新的存儲器旋風(fēng)。