秒殺驍龍810？初探三星Galaxy S6芯 Exynos 7420

　　今年Galaxy S6的發(fā)布會(huì)上三星著重介紹了性能，這也難怪，畢竟本次S6的處理器使用了目前手機(jī)處理器之中最先進(jìn)的14nm FinFET工藝制造，相對使用20nm的驍龍810處理器有著明顯優(yōu)勢，那么這顆新處理器到底有多強(qiáng)?請跟隨我們一起來初步探究吧。

　　7420處理器最大亮點(diǎn)在于使用了三星自己的14nm FinFET工藝制作，該工藝是目前手機(jī)處理器上最先進(jìn)的之一——臺(tái)積電的16nm工藝尚未實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，而7420的競爭對手Snapdragon 810處理器使用的還是20nm工藝，從制程工藝的數(shù)值上面來說，自然是越小越好，因?yàn)榫w管之間的距離越小，那么相對來說能耗就更低，性能就更強(qiáng)，但若是晶體管之間距離太小則會(huì)導(dǎo)致芯片不同部分之間發(fā)生漏電流(Leakage)現(xiàn)象，而FinFET工藝為了解決該問題，會(huì)在兩個(gè)傳導(dǎo)通道之間加入一層很薄的硅“鰭”。

　　英特爾公布的FinFET電子顯微鏡照片

　　FinFET全稱Fin Field-Effect Transistor(鰭式場效晶體管)，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體(CMOS)晶體管。Fin是魚鰭的意思，F(xiàn)inFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性，由加州大學(xué)伯克利分校的胡正明發(fā)明，其工作原理是將晶體管由傳統(tǒng)的平面結(jié)構(gòu)變?yōu)?D結(jié)構(gòu)，可在電路的兩側(cè)控制電路接通和斷開，此種設(shè)計(jì)能夠大幅度改善電路控制并減少漏電流(Leakage)，同時(shí)也能夠大幅度縮短晶體管的閘長。

　　最早商業(yè)化使用FinFET技術(shù)的公司是英特爾，該公司在2011年推出了22nm的FinFET工藝，目前包括三星、臺(tái)積電和Global Foundries等在內(nèi)的半導(dǎo)體廠家已經(jīng)積極投身于FinFET的研究和推進(jìn)工作。

　　眾所周知，對于相同的處理器架構(gòu)來說，更低的功耗意味著更低的發(fā)熱，在功耗允許的情況下也能夠盡可能提升頻率，或者在同樣頻率下能夠節(jié)省寶貴的電力，而在Exynos 7420這款處理器上面對于上面的特性都有一定的體現(xiàn)。

　　Exynos 7420并沒有特別革命性的架構(gòu)進(jìn)步，依舊使用了來自于ARM的四核心Cortex-A57+四核心Cortex-A53的大小核架構(gòu)以及Mali-T760 GPU，若要說市面上哪款移動(dòng)處理器和它最為相似，那自然是應(yīng)用在部分版本Galaxy Note 4上面的，師出同門的Exynos 5433了。

　　雖然ARM剛剛發(fā)布了最新的高性能CPU架構(gòu)Cortex-A72，但是要想三星立刻生產(chǎn)出量產(chǎn)制品依舊是不現(xiàn)實(shí)的，使用A57+A53的設(shè)計(jì)來平衡功耗和性能也是很正常的做法，原則上來說后臺(tái)輕度的應(yīng)用會(huì)交給A53核心來處理，在需要高性能的時(shí)候，A57則會(huì)投入工作，Exynos 7420自然也是支持GTS(Global Task Scheduling)，也就是八核心同時(shí)投入工作，以及動(dòng)態(tài)核心電壓頻率調(diào)整功能。

　　Exynos 7420自然也加入了對ARM的AArch64的，雖然理論上來說所有A53和A57的CPU都應(yīng)當(dāng)具有對AArch64的支持，但是三星Exynos 5433則被三星人為地限制在了AArch32上面，也就是說目前暫時(shí)不具備64位計(jì)算能力。