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          秒殺驍龍810?初探三星Galaxy S6芯 Exynos 7420

          作者: 時間:2015-03-09 來源:愛搞機(jī) 收藏

            今年Galaxy S6的發(fā)布會上著重介紹了性能,這也難怪,畢竟本次S6的處理器使用了目前手機(jī)處理器之中最先進(jìn)的14nm FinFET工藝制造,相對使用20nm的驍龍810處理器有著明顯優(yōu)勢,那么這顆新處理器到底有多強(qiáng)?請跟隨我們一起來初步探究吧。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/270624.htm

            

           

            7420處理器最大亮點(diǎn)在于使用了自己的14nm FinFET工藝制作,該工藝是目前手機(jī)處理器上最先進(jìn)的之一——臺積電的16nm工藝尚未實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),而7420的競爭對手Snapdragon 810處理器使用的還是20nm工藝,從制程工藝的數(shù)值上面來說,自然是越小越好,因?yàn)榫w管之間的距離越小,那么相對來說能耗就更低,性能就更強(qiáng),但若是晶體管之間距離太小則會導(dǎo)致芯片不同部分之間發(fā)生漏電流(Leakage)現(xiàn)象,而FinFET工藝為了解決該問題,會在兩個傳導(dǎo)通道之間加入一層很薄的硅“鰭”。

            

           

            英特爾公布的FinFET電子顯微鏡照片

            FinFET全稱Fin Field-Effect Transistor(鰭式場效晶體管),是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體(CMOS)晶體管。Fin是魚鰭的意思,F(xiàn)inFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性,由加州大學(xué)伯克利分校的胡正明發(fā)明,其工作原理是將晶體管由傳統(tǒng)的平面結(jié)構(gòu)變?yōu)?D結(jié)構(gòu),可在電路的兩側(cè)控制電路接通和斷開,此種設(shè)計(jì)能夠大幅度改善電路控制并減少漏電流(Leakage),同時也能夠大幅度縮短晶體管的閘長。

            最早商業(yè)化使用FinFET技術(shù)的公司是英特爾,該公司在2011年推出了22nm的FinFET工藝,目前包括、臺積電和Global Foundries等在內(nèi)的半導(dǎo)體廠家已經(jīng)積極投身于FinFET的研究和推進(jìn)工作。

            

           

            眾所周知,對于相同的處理器架構(gòu)來說,更低的功耗意味著更低的發(fā)熱,在功耗允許的情況下也能夠盡可能提升頻率,或者在同樣頻率下能夠節(jié)省寶貴的電力,而在Exynos 7420這款處理器上面對于上面的特性都有一定的體現(xiàn)。

            

           

            Exynos 7420并沒有特別革命性的架構(gòu)進(jìn)步,依舊使用了來自于ARM的四核心Cortex-A57+四核心Cortex-A53的大小核架構(gòu)以及Mali-T760 GPU,若要說市面上哪款移動處理器和它最為相似,那自然是應(yīng)用在部分版本Galaxy Note 4上面的,師出同門的Exynos 5433了。

            

           

            雖然ARM剛剛發(fā)布了最新的高性能CPU架構(gòu)Cortex-A72,但是要想三星立刻生產(chǎn)出量產(chǎn)制品依舊是不現(xiàn)實(shí)的,使用A57+A53的設(shè)計(jì)來平衡功耗和性能也是很正常的做法,原則上來說后臺輕度的應(yīng)用會交給A53核心來處理,在需要高性能的時候,A57則會投入工作,Exynos 7420自然也是支持GTS(Global Task Scheduling),也就是八核心同時投入工作,以及動態(tài)核心電壓頻率調(diào)整功能。

            Exynos 7420自然也加入了對ARM的AArch64的,雖然理論上來說所有A53和A57的CPU都應(yīng)當(dāng)具有對AArch64的支持,但是三星Exynos 5433則被三星人為地限制在了AArch32上面,也就是說目前暫時不具備64位計(jì)算能力。

            

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