突破委外產(chǎn)能限制 半導(dǎo)體OEM亟需重新整合供應(yīng)鏈

　　在今年初于法國Grenoble舉行的歐洲3D TSV高峰會上，來自半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的業(yè)界專家們似乎都認(rèn)同這樣的看法：在包括消費(fèi)市場等許多領(lǐng)域，采用2.5D整合(透過利用中介層)仍將比采用真正的3D垂直整合更具成本競爭力。而這可能對于電子制造產(chǎn)業(yè)帶來重大變化。

　　半導(dǎo)體諮詢公司ATREG資深副總裁兼負(fù)責(zé)人Barnett Silver在會中發(fā)表對于封裝與IC制造市場的看法。

　　他說，“過去十年來，隨著技術(shù)邁向下一個先進(jìn)節(jié)點(diǎn)，半導(dǎo)體制程與晶圓廠開發(fā)的總成本急遽上升，預(yù)計在14nm節(jié)點(diǎn)以后只有臺積電(TSMC)、三星電子 (Samsung)與英特爾(Intel)等少數(shù)幾家代工廠還握有足夠的資金持續(xù)這一制程競賽。這使得OEM以及無晶圓廠的IC設(shè)計公司只能依靠少數(shù)幾家 代工選擇，持續(xù)地受到牽制。因此，大型OEM必須垂直地重新整合其具策略性的芯片供應(yīng)鏈。”

　　圖1：芯片整合歷經(jīng)周期性循環(huán)。

　　Silvers 預(yù)計在未來三年內(nèi)將會出現(xiàn)轉(zhuǎn)捩點(diǎn)——諸如蘋果(Apple)、Google和亞馬遜(Amazon)等資金充裕的OEM可望投資于越來越多的代工廠與IC 封裝廠，以確保其供應(yīng)鏈穩(wěn)定，屆時半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將能更有效地利用先進(jìn)節(jié)點(diǎn)，以及降低芯片產(chǎn)能分配的風(fēng)險。從觀察多家代工廠與IDM的收購/整并談判 中，Silver目睹了這一類大型OEM的競價過程(不過至今并未成功)。

　　對于OEM而言，抗衡臺積電等少數(shù)幾家晶圓代工廠市場主導(dǎo)地位的方法之一，就是透過不同程度的資本參與、經(jīng)營權(quán)與所有權(quán)介入，以及收購委外半導(dǎo)體組裝與測試服務(wù)供應(yīng)商(OSATS)與代工廠的股份，以及開發(fā)其他的替代生產(chǎn)模式。

　　Silver 表示，這種混合的半導(dǎo)體制造模式可能為其帶來‘產(chǎn)能權(quán)益’，即半導(dǎo)體公司或OEM可投資于一座晶圓廠，以便取得該晶圓廠(包括保證獲得產(chǎn)能)整體成功的股份;或者透過更進(jìn)一步的合作(共同合作)模式，由多家半導(dǎo)體公司共同擁有與經(jīng)營一座晶圓廠，并確保按比例獲得整體產(chǎn)能，同時共同分擔(dān)營運(yùn)費(fèi)用。

　　圖2：先進(jìn)封裝仍將是一個明顯的差異化因素，將推動產(chǎn)業(yè)重新整合。

　　“在此過程中，封裝技術(shù)至關(guān)重要，然而卻經(jīng)常被忽視了”，Silver表示，他看到OSAT和晶圓代工服務(wù)的融合態(tài)勢。

　　根據(jù)Yole Developpement的調(diào)查報告，2014年全球半導(dǎo)體IC晶圓中約有19%采用晶圓級封裝技術(shù)(如晶圓植凸塊、RDL與TSV等)制造，預(yù)計在2015年還將提高到20%。

　　Silver表示：“在代工廠、OSAT和IDM競相搶占510億美元的芯片組裝與測試市場之際，我預(yù)期未來將會看到更多的整并與收購。隨著封裝技術(shù)變得越來越先進(jìn)，特別是在晶圓級，在前段制程與后段封裝之間將會發(fā)生重新整合與融合。”

　　盡管大部分的進(jìn)展都來自于矽穿孔(TSV)技術(shù)，包括解析度、深度與長寬比等，該技術(shù)仍被認(rèn)為成本高昂，而僅限于高階應(yīng)用，包括服務(wù)器存儲器或高性能運(yùn)算等。雖然2015年被認(rèn)為是3D TSV起飛的一年，可望看到更多高頻寬存儲器加速量產(chǎn)，但在今年歐洲3D TSV高峰會上的眾多爭議多半都圍繞在這種全3D架構(gòu)何時才能和2.5D中介層一樣在消費(fèi)應(yīng)用上展現(xiàn)競爭力與成本優(yōu)勢。這種不確定性對于OSAT來說正是 一個好機(jī)會，讓他們能夠擴(kuò)展產(chǎn)品組合，以及抗衡企圖掌控一切的代工廠。

　　根據(jù)半導(dǎo)體封裝諮詢公司TechSearch International總裁E. Jan Vardaman指出，雖然TSV技術(shù)已經(jīng)被廣泛地應(yīng)用在感測器和MEMS，但產(chǎn)能問題以及堆疊存儲器與邏輯元件帶來的熱挑戰(zhàn)仍然讓3D TSV無法得到消費(fèi)應(yīng)用的青睞。