18寸晶圓計劃踩煞車 ASML：現(xiàn)階段已無必要性

　　荷商微影設(shè)備大廠ASML在2012年提出的“客戶聯(lián)合投資專案”(Customer Co-Investment Program)，廣邀臺積電、英特爾(Intel)和三星電子(Samsung Electronics) 三家半導(dǎo)體大廠投資入股研發(fā)18寸晶圓(450mm)機臺和極紫外光(EUV)機臺，不過，現(xiàn)在整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈對于18寸晶圓世代的來臨已無急迫需求， 研發(fā)資金會以12寸晶圓(300mm)的EUV機臺為主，18寸晶圓計劃已緊急踩煞車。

　　荷商微影設(shè)備大廠ASML在全球微影設(shè)備的市占率高達80%，也是全球唯一有能力量產(chǎn)EUV機臺的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商，主要的競爭對手日廠尼康(Nikon)和佳能(Canon)都不是對手，因此，ASML身上也肩負著延續(xù)摩爾定律的使命。

　　ASML為了延續(xù)半導(dǎo)體制程演進和生產(chǎn)成本的逐漸下降，2012年發(fā)起的“客戶聯(lián)合投資專案”獲得英特爾、三星電子、臺積電入股投資，當(dāng)時的研發(fā)分為兩個部分，一是EUV機臺設(shè)備，另一是450mm機臺設(shè)備。

　　但從2014年起，陸續(xù)傳出英特爾等針對旗下的450mm計劃喊停，臺積電也宣布投資ASML的階段性任務(wù)已經(jīng)結(jié)束，已經(jīng)預(yù)售手上的ASML持股，2015年可認列210億元獲利。

　　ASML表示，現(xiàn)階段半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)暫時不需要18寸晶圓世代，當(dāng)初三大半導(dǎo)體針對18寸晶圓的投資，會陸續(xù)轉(zhuǎn)去研發(fā)12寸晶圓(300mm)的EUV機臺，將EUV機臺技術(shù)做到盡善盡美，達到生產(chǎn)效率高且精準(zhǔn)的目標(biāo)。

　　半導(dǎo)體業(yè)者認為，18寸晶圓世代的來臨，當(dāng)初各方都不看好，因為整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的投資金額太大，設(shè)備廠也不愿意投入研發(fā)，即使投入后，也根本沒幾個客戶會買單，連英特爾、三星、臺積電這3家一定會蓋18寸晶圓廠的客戶到最后也是躊躇不前。

　　目前ASML把所有資源放在EUV技術(shù)研發(fā)上，根據(jù)ASML表示，半導(dǎo)體的Lithography和微影疊對量測技術(shù)(Overlay Metrology)上，在28納米制程分別為6道和7道、20納米制程為8道和9道、10納米的Lithography步驟高達23道，而 Overlay Metrology步驟有36~40道。

　　7納米的Lithography步驟更是達34道、Overlay Metrology步驟為59~65道，但若是用EUV生產(chǎn)7納米制程，Lithography和Overlay Metrology技術(shù)只需要分別9道和12道。

　　原本ASML的EUV機臺因為每小時生產(chǎn)晶圓片數(shù)量未達目標(biāo)，導(dǎo)致成本墊高，但日前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)舉行的SPIE先進微影論壇中，臺積電對外宣布ASML的NXE:3300B型號EUV機臺，已經(jīng)達到單日曝光超過1，000片晶圓的目標(biāo)，再次刷新紀(jì)錄。

　　臺積電目前已經(jīng)安裝2臺NXE:3300B的EUV系統(tǒng)，另有2臺新一代EUV系統(tǒng)NXE:3350B將于2015年完成出貨，而原先已安裝的2臺NXE:3300B也將升級到NXE:3350B效能。

　　這個突破讓臺積電對于EUV效能感到放心，目標(biāo)是在2016年底前達到單日曝光1，500片晶圓的目標(biāo)，對于邏輯制程走到10納米和7納米、記憶體DRAM技術(shù)走到15納米制程深具信心。

　　ASML目前在臺灣的半導(dǎo)體客戶包括臺積電、聯(lián)電、南亞科、華亞科、華邦、旺宏、瑞晶(現(xiàn)為臺灣美光)等，大陸客戶包括中芯國際等。

　　由于有EUV機臺助陣，大客戶臺積電已經(jīng)表示生產(chǎn)效率大為突破，因此ASML有信心2020年營運達到100億歐元，屆時EUV機臺會占營收超過50%