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          Peregrine 半導(dǎo)體公司推出40 GHz射頻SOI開關(guān)

          作者: 時(shí)間:2015-04-17 來源:EEPW 收藏

            Peregrine半導(dǎo)體公司是射頻SOI(絕緣體上硅)技術(shù)的創(chuàng)始人,先進(jìn)的射頻解決方案的先驅(qū),現(xiàn)在推出UltraCMOS? ,這是行業(yè)中第一個(gè)工作頻率高達(dá)40 GHz 的射頻 。這種開關(guān)引人注目地把Peregrine的高頻產(chǎn)品陣容擴(kuò)大到先前以砷化鎵(GaAs)技術(shù)為主的頻率。作為GaAs以外的另一種解決方案,的可靠性高,在線性度、隔離性能、過渡過程時(shí)間和靜電放電(ESD)保護(hù)性能等方面具有優(yōu)勢。由于這種開關(guān)具有這些特性,是用于測試和測量、微波回程、雷達(dá)和軍事通信設(shè)備的理想開關(guān)。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/272724.htm

            “隨著我們把高頻產(chǎn)品進(jìn)一步延伸到微波頻率,Peregrine證明了射頻 SOI技術(shù)的能力和優(yōu)勢?!?Peregrine半導(dǎo)體高級營銷經(jīng)理Kinana Hussain說?!拔覀兊腢ltraCMOS技術(shù)促成了我們的高頻元件,例如,達(dá)到以前人們認(rèn)為射頻SOI不可能達(dá)到的性能水平。Peregrine的產(chǎn)品發(fā)展路線圖包括其他高頻元件,已經(jīng)并將繼續(xù)在射頻 SOI方面樹立新的標(biāo)準(zhǔn)。"

            Peregrine的高頻開關(guān)產(chǎn)品,其中包括13 GHz、18 GHz、26.5 GHz和現(xiàn)在40 GHz產(chǎn)品,是用Peregrine公司的UltraCMOS技術(shù)制造的。UltraCMOS技術(shù)是SOI技術(shù)在藍(lán)寶石基片上實(shí)現(xiàn)的專利技術(shù)。對于高頻設(shè)計(jì),藍(lán)寶石基片具有十分重要的若干關(guān)鍵性好處。藍(lán)寶石的損耗角正切優(yōu)于CMOS十倍,優(yōu)于砷化鎵三倍。藍(lán)寶石是電阻率超高的基片,它的隔離度高,而且寄生電容最小。藍(lán)寶石基片根除了硅基片常見的許多耦合方面的影響,因而為射頻系統(tǒng)工程師帶來非凡的線性度和功率處理性能。

            特性、包裝、價(jià)格和供貨

            Peregrine的PE42524是單刀雙擲(SPDT)射頻開關(guān)裸片,它的頻率范圍寬,從10 MHz至40 GHz。它的端口與端口之間的隔離性能極好,插入損耗低,線性度優(yōu)異。在30 GHz時(shí),開關(guān)的隔離性能是47分貝,插入損失為2.2分貝,在13.5 GHz時(shí)的IIP3為50 dBm。PE42524的開關(guān)時(shí)間為225納秒,過渡過程時(shí)間很短,為840納秒,所有引腳的人體放電模型(HBM)靜電放電保護(hù)電壓高達(dá)2000伏。和砷化鎵的解決辦法不同,對于PE42524,在射頻端口,如果沒有直流電壓,不需要阻斷電容器。PE42524可以以倒裝片裸片的方式提供,它的凸塊間距為500微米,從而根除了由于邦定線長度變化而引起的性能變化。

            樣品、評估工具和量產(chǎn)件現(xiàn)在已經(jīng)上市。PE42524的倒裝片裸片符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),訂購數(shù)量為1千片時(shí)的價(jià)格是每個(gè)40美元,訂購數(shù)量為5千片時(shí)的價(jià)格是32.44美元。

          特性

          UltraCMOS? PE42524

          配置

          單刀雙擲(SPDT

          頻率范圍

          10 MHz40 GHz

          隔離性能好

          ·48 dB (在 26.5 GHz時(shí))

          ·39 dB (在 35 GHz時(shí))

          ·33 dB (在 40 GHz時(shí))

          線性度好

          IIP3 50 dBm (在13.5GHz時(shí))

          輸入的 1dB壓縮點(diǎn)

          ·31.5 dB (在 26.5 GHz時(shí))

          ·28 dB (在35 GHz時(shí))

          插入損耗小

          ·1.8 dB (在 26.5 GHz時(shí))

          ·3.1 dB (在35 GHz時(shí))

          靜電放電(ESD)保護(hù)額定電壓高

          2000V(人體放電模型,所有引腳)

          開關(guān)時(shí)間

          225 ns

          過渡過程時(shí)間

          840 ns

          封裝

          倒裝片裸片

            Peregrine半導(dǎo)體公司簡介

            Peregrine半導(dǎo)體公司是Murata公司的一員,是射頻SOI(絕緣體上硅)技術(shù)的創(chuàng)始人,是提供高性能射頻集成解決方案的領(lǐng)先的無晶圓廠供應(yīng)商。自1988年以來,Peregrine和它的創(chuàng)始團(tuán)隊(duì)一直在完善UltraCMOS?技術(shù)──這是SOI方面擁有專利權(quán)的先進(jìn)技術(shù), 提供解決射頻市場的最大挑戰(zhàn)所需要的性能,例如線性度。由于Peregrine半導(dǎo)體提供的產(chǎn)品是單片集成方案,具有最好的性能,是汽車、寬帶、工業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)、軍工、移動(dòng)設(shè)備、智能手機(jī)、空間技術(shù)、測試和測量設(shè)備和無線等市場的領(lǐng)先公司完全可信賴的選擇。Peregrine擁有超過180項(xiàng)專利和正在審批的專利,已經(jīng)向市場提供二十多億個(gè)UltraCMOS。欲了解更多信息,請?jiān)L問http://www.psemi.com。




          關(guān)鍵詞: Peregrinej SOI開關(guān) PE42524

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