賽普拉斯的異步SRAM系列又添新丁，具有片上錯(cuò)誤校正碼的4Mb器件橫空出世
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靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布，其具有錯(cuò)誤校正碼(ECC)的4Mb異步SRAM正在出樣。這些新款SRAM的片上ECC功能可提供最高水平的數(shù)據(jù)可靠性，而無(wú)需額外的錯(cuò)誤校正芯片，從而簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)，并縮小了電路板尺寸。該器件可在工業(yè)、軍事、通訊、數(shù)據(jù)處理、醫(yī)療、消費(fèi)及汽車等應(yīng)用中確保數(shù)據(jù)的可靠性。
本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/272926.htm
由背景輻射引起的軟錯(cuò)誤可損壞存儲(chǔ)器中的內(nèi)容，造成重要數(shù)據(jù)的遺失。賽普拉斯新型異步SRAM系列中的硬件ECC模塊可在線執(zhí)行所有的錯(cuò)誤校正功能，而無(wú)需用戶干預(yù)，能達(dá)到業(yè)界最佳的小于0.1 FIT/Mb的軟錯(cuò)誤率(SER)性能(一個(gè)FIT等于器件每工作十億小時(shí)發(fā)生一次錯(cuò)誤)。這些新款器件與現(xiàn)有的快速異步和低功耗SRAM管腳兼容，客戶無(wú)需改變電路板設(shè)計(jì)，即可提高系統(tǒng)的可靠性。這些4Mb SRAM還有可選的錯(cuò)誤指示信號(hào)，可指示單比特錯(cuò)誤的校正。
賽普拉斯異步SRAM業(yè)務(wù)部高級(jí)總監(jiān)Sunil Thamaran說(shuō)：“去年我們推出了首款具有片上ECC功能的16Mb異步SRAM，客戶反響強(qiáng)烈。增加一款不同容量的產(chǎn)品，可使片上ECC技術(shù)造福于更多的應(yīng)用。賽普拉斯一直致力于開發(fā)新的SRAM技術(shù)，為客戶更好地服務(wù)，同時(shí)鞏固我們?cè)谑袌?chǎng)中不可撼動(dòng)的領(lǐng)導(dǎo)地位。”
賽普拉斯4Mb異步SRAM有三款可選——快速4Mb SRAM、MoBL(更長(zhǎng)電池壽命)4Mb SRAM、帶PowerSnooze™功能的快速4Mb SRAM(附加深度睡眠節(jié)能模式，該模式下最大電流僅為15 uA)。每款均為業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的x8或x16配置。這些器件可在多種電壓下工作(1.8V、3V和5V)，溫度范圍是-40°C 到 +85°C(工業(yè)級(jí))和-40°C 到 +125°C(汽車E級(jí))。
供貨情況
這些新款SRAM的工業(yè)級(jí)溫度范圍產(chǎn)品目前正在出樣，預(yù)計(jì)2015年7月量產(chǎn)。封裝方式為符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的32-pin SOIC、32-pin TSOP II、36-pin SOJ、44-pin SOJ、44-pin TSOP II 以及 48-ball VFBGA。
評(píng)論