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          LPDDR4出貨比例成為DRAM廠獲利關(guān)鍵

          作者: 時(shí)間:2015-04-22 來(lái)源:eettaiwan 收藏

            市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce最新調(diào)查顯示,2015年第一季起智慧型手機(jī)出貨積弱不振,季衰退幅度高達(dá)9.2%。盡管第二季展望國(guó)際大廠蘋果(Apple)與三星(Samsung)出貨相對(duì)穩(wěn)健,然而智慧型手機(jī)在中國(guó)通路的庫(kù)存水位仍高,在第二季將持續(xù)庫(kù)存去化的情況下,較難看到大幅的出貨成長(zhǎng)。第二季全球智慧型手機(jī)預(yù)估季成長(zhǎng)6.8%,中國(guó)地區(qū)(含中國(guó)品牌外銷國(guó)外)部分為14.8%,遠(yuǎn)低于過往兩年動(dòng)輒25%以上的季成長(zhǎng)。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/272939.htm

            TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處eXchange研究協(xié)理吳雅婷表示,2015年行動(dòng)式記憶體價(jià)格走勢(shì)趨于穩(wěn)定。目前行動(dòng)式記憶體占整體供應(yīng)超過四成以上,與伺服器記憶體在今年扮演了穩(wěn)定價(jià)格走勢(shì)的關(guān)鍵因素。至于未來(lái)供應(yīng)商獲利是否能夠持續(xù)成長(zhǎng),將大幅取決于的出貨比例,搶占產(chǎn)品生命周期初期的溢價(jià)商機(jī)。

            吳雅婷表示,整體行動(dòng)式記憶體的平均銷售單價(jià)跌幅將維持5%區(qū)間之內(nèi)原因如下:

            (1) 旗艦款智慧型手機(jī)上調(diào)單機(jī)搭載容量

            今年預(yù)定發(fā)表的新iPhone搭載記憶體將從LPDDR3 1GB提升至 2GB (16Gb),使得其他高階智慧型手機(jī)跟進(jìn),大舉調(diào)升單機(jī)記憶體搭載容量。目前包含三星Galaxy S6搭載3GB()、LG G4搭載3GB (LPDDR4)、中國(guó)品牌廠包含小米(Xiaomi) Note高配版及聯(lián)想(Lenovo) Vibe Z3 Pro也同樣是4GB的LPDDR4。在這一波高規(guī)格戰(zhàn)的推波助瀾下,部分高階智慧型手機(jī)消耗DRAM的量等同于一臺(tái)筆記型電腦(同樣是4GB PC DRAM),將能有效消化目前略為供過于求的多余產(chǎn)能。

            (2) 下一代行動(dòng)式記憶體LPDDR4正式為市場(chǎng)所采用

            不論是何種DRAM產(chǎn)品類別,當(dāng)新一代產(chǎn)品加入供貨煉中,一定會(huì)產(chǎn)生溢價(jià)的情況,反映產(chǎn)品生產(chǎn)初期成本較高的事實(shí),而第二季正是最新一代行動(dòng)式記憶體LPDDR4加入市場(chǎng)的時(shí)間點(diǎn)。上述的高階旗艦機(jī)種中,三星的Exynos與Qualcomm的S810平臺(tái)基本上都采用LPDDR4的記憶體解決方案,因此與LPDDR3相較,同樣容量溢價(jià)約在30~35%區(qū)間,大幅的提升了整體行動(dòng)式記憶體價(jià)格走勢(shì)穩(wěn)定度。

            (3) LPDDR2/LPDDR3新舊交替,復(fù)雜度增加,價(jià)格欲跌不易

            中國(guó)部分的智慧型手機(jī)無(wú)論內(nèi)需或外銷仍屬清淡的狀況,第二季出貨展望維持保守,但在最低階部分在節(jié)省成本的考量下,LPDDR2需求有所提升,尤其是展訊(Spreadtrum)的7731或聯(lián)發(fā)科(Mediatek) 6571平臺(tái)。然而目前三星幾乎已不生產(chǎn)LPDDR2,而SK海力士(Hynix)以及美光(Micron) LPDDR2的產(chǎn)出比例也大幅下降,能夠穩(wěn)定且大量供貨的僅剩南亞科,因此價(jià)格(尤其是eMCP 4+4/8+8)穩(wěn)定,并且不排除第三季在旺季需求的帶動(dòng)下呈現(xiàn)小漲格局。

            

           

            2015年第二季至第四季LPDDR4對(duì)LPDDR3溢價(jià)預(yù)測(cè)



          關(guān)鍵詞: LPDDR4 DRAM

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