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          中國(guó)有錢也玩不來(lái)主流DRAM?

          作者: 時(shí)間:2015-04-24 來(lái)源:technews 收藏
          編者按:  資本公司聯(lián)合收購(gòu) ISSI,京東方宣告進(jìn)入 DRAM 市場(chǎng),中國(guó)搶進(jìn) DRAM市場(chǎng)的意圖愈發(fā)明顯,但是大把資金投入是否能得到預(yù)期收貨?DRAM市場(chǎng)是有錢就行嗎?

            中國(guó)發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),從武岳峰等資本公司聯(lián)合收購(gòu) ISSI,到面板廠京東方宣告進(jìn)入 市場(chǎng),搶進(jìn) 市場(chǎng)的意圖愈發(fā)明顯,然而,挾著重金,外界擔(dān)心中國(guó) 廠將使現(xiàn)在漸趨平衡的生態(tài)再起波瀾,中國(guó)進(jìn)入市場(chǎng)對(duì)于臺(tái)廠又會(huì)造成什么樣的威脅,研究機(jī)構(gòu) Bernstein Research 從幾個(gè)面向分析,認(rèn)為中國(guó)若朝主流 DRAM 發(fā)展勝算并不大。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/273124.htm



            中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)布局仍未明朗

            中國(guó)國(guó)家積體電路產(chǎn)業(yè)投資基金宣告投入 1,200 億人民幣(約合 6,080 億新臺(tái)幣),今年 3 月中國(guó)武岳峰資本等公司資本聯(lián)合買下 ISSI (Integrated Silicon Solution),宣告中國(guó)半導(dǎo)體布局伸向 DRAM 產(chǎn)業(yè),ISSI 主要發(fā)展利基型 DRAM 與 SRAM,外界預(yù)估對(duì)主流存儲(chǔ)器市場(chǎng)的影響并不大。

            4 月初再傳中國(guó)面板廠京東方也意圖進(jìn)入存儲(chǔ)器市場(chǎng),中國(guó)芯謀研究(ICwise )首席半導(dǎo)體分析師顧文軍發(fā)文指稱,京東方?jīng)Q定涉足存儲(chǔ)器市場(chǎng)的新聞為子虛烏有,但也未把話說死,顧同篇發(fā)言也引述京東方董事長(zhǎng)王東升先前強(qiáng)調(diào)會(huì)關(guān)注并且 涉足半導(dǎo)體的發(fā)言。至少在短期之間,京東方進(jìn)軍 DRAM 產(chǎn)業(yè)仍未明朗。

            據(jù)悉,中國(guó)半導(dǎo)體扶植政策下,將選擇一個(gè)省市設(shè)置本土的 DRAM 廠,上海、北京、合肥等五個(gè)省市爭(zhēng)取之中,誰(shuí)能勝出、策略為何也還未有定數(shù)。

            比較確定的是,武漢新芯集成電路(XMC) 今年 2 月宣布與美國(guó) NOR 快閃存儲(chǔ)器領(lǐng)導(dǎo)廠商 Spansion 合作研發(fā) 3D NAND 技術(shù),第一個(gè)產(chǎn)品預(yù)計(jì)于 2017 年問世。目前 3D NAND 技術(shù)除了三星已正式量產(chǎn),其他大廠仍處送樣階段或預(yù)計(jì)下半年小規(guī)模量產(chǎn)。技術(shù)仍屬起步階段,制作成本仍高,武漢新芯與 Spansion 發(fā)展 3D NAND 技術(shù),還得視能否兼顧成本以及每個(gè)存儲(chǔ)器的電性表現(xiàn)。

            鉅額投資不一定取得了市占

            存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)為典型資本密集與技術(shù)密集產(chǎn)業(yè)。先從資本談起,光土地、廠房不含設(shè)備,可能就得耗掉 150~200 億臺(tái)幣,研究機(jī)構(gòu) Bernstein 預(yù)估,若要取得 DRAM 或 NAND Flash 其中一個(gè)市場(chǎng)的一席之地,至少需 15% 左右的市占,以 2014 年第四季產(chǎn)能來(lái)估算,一個(gè)月產(chǎn)出得達(dá) 20 萬(wàn)片(資本支出大約在 200 億美元,約 6,260 億新臺(tái)幣左右)。



            追逐市占的過程中,若產(chǎn)能一個(gè)月增加到 20 萬(wàn)片的幅度,市場(chǎng)將出現(xiàn)超額供給,對(duì)于初期生產(chǎn)成本較高的新進(jìn)者而言,價(jià)格會(huì)掉到成本以下,新進(jìn)者即便前面 16~24 個(gè)月之間投入 200 億美元以上的資本支出,十年內(nèi)仍會(huì)落后產(chǎn)業(yè)先進(jìn)者一個(gè)世代以上。Bernstein 預(yù)估,新進(jìn)者投入 DRAM 產(chǎn)業(yè),將得承受前面十年 400 億美元(約 1.3 兆新臺(tái)幣)的虧損,投入 NAND 產(chǎn)業(yè)前面十年也要有面臨 350 億美元(約 1.1 兆新臺(tái)幣)損失的心理準(zhǔn)備。



            ▲ Bernstein 預(yù)估 DRAM 產(chǎn)業(yè)新進(jìn)者,前十年將得面對(duì) 400 億美元以上的虧損。

          存儲(chǔ)器相關(guān)文章:存儲(chǔ)器原理



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