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          Silicon Storage Technology和GLOBALFOUNDRIES宣布其汽車級(jí)55nm嵌入式閃存技術(shù)已獲認(rèn)證

          作者: 時(shí)間:2015-05-15 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            全球領(lǐng)先的整合單片機(jī)、混合信號(hào)、模擬器件和閃存專利解決方案的供應(yīng)商—— Technology Inc.(美國微芯科技公司)通過其子公司Silicon Storage Technology(SST)與先進(jìn)半導(dǎo)體制造技術(shù)的領(lǐng)先供應(yīng)商GLOBALFOUNDRIES共同宣布,基于GLOBALFOUNDRIES 55nm低功耗強(qiáng)化型(LPx)/RF平臺(tái)的SST 55nm嵌入式® 非易失性存儲(chǔ)器(NVM)產(chǎn)品已通過全面認(rèn)證并開始投放市場(chǎng)。GLOBALFOUNDRIES結(jié)合分離柵極單元技術(shù)的55nm工藝經(jīng)認(rèn)證測(cè)試符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)。同時(shí),這一工藝技術(shù)還滿足在-40°C至125°C的環(huán)境溫度范圍下AEC-Q100 1級(jí)認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn),耐用性達(dá)到10萬次的擦寫周期,可實(shí)現(xiàn)150°C條件下超過20年的數(shù)據(jù)保存年限。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/274250.htm

            根據(jù)全球知名信息咨詢公司IHS預(yù)測(cè),2015年汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到310億美元,相比2014年增幅可高達(dá)7.5%。而基于嵌入式閃存的半導(dǎo)體產(chǎn)品則在這一市場(chǎng)占有相當(dāng)大的比重。

            全資子公司SST技術(shù)許可部副總裁Mark Reiten表示:“嵌入式存儲(chǔ)器事實(shí)上已成為各代工廠生產(chǎn)單片機(jī)、智能卡及各種系統(tǒng)級(jí)芯片的標(biāo)準(zhǔn)。與GLOBALFOUNDRIES的合作,為我們搭建先進(jìn)的55nm嵌入式SuperFlash平臺(tái)帶來了巨大的技術(shù)優(yōu)勢(shì),我們與各行業(yè)多個(gè)客戶的業(yè)務(wù)洽談也已經(jīng)在進(jìn)行當(dāng)中。我們非常高興可以和GLOBALFOUNDRIES攜手進(jìn)一步鞏固公司在嵌入式閃存器件領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位。”

            GLOBALFOUNDRIES產(chǎn)品管理高級(jí)副總裁Gregg Bartlett表示:“GLOBALFOUNDRIES意識(shí)到市場(chǎng)需要一款低成本的嵌入式閃存平臺(tái)產(chǎn)品來實(shí)現(xiàn)安全的ID、混合信號(hào)、NFC/RF及新一代IoT應(yīng)用。得益于公司與SST的深入合作,這項(xiàng)基于GLOBALFOUNDRIES高產(chǎn)的55nm低功耗工藝技術(shù)平臺(tái)而實(shí)現(xiàn)的55nm SuperFlash合格商用技術(shù)將有助為各重點(diǎn)行業(yè)的客戶提供高性能的解決方案。”

            配備eNVM技術(shù)的GLOBALFOUNDRIES 55nm LPx/RF平臺(tái)現(xiàn)已開始投放市場(chǎng)。該平臺(tái)技術(shù)備有一個(gè)自定義庫,包含針對(duì)特定MCU產(chǎn)品應(yīng)用而優(yōu)化的現(xiàn)成eNVM IP模塊,是一款可大幅縮短產(chǎn)品開發(fā)周期的解決方案。



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