ADI推出SPDT開(kāi)關(guān)為測(cè)試測(cè)量應(yīng)用提供快速建立時(shí)間

　　Analog Devices, Inc.(ADI)日前推出了一款專門(mén)用于9 KHz至13 GHz頻段的吸收式單刀雙擲(SPDT)開(kāi)關(guān)HMC1118LP3DE，它具有48dB的高隔離度，在8 GHz條件下運(yùn)行時(shí)僅有0.6dB的低插入損耗。 HMC1118LP3DE是ADI公司的新型RF和微波控制產(chǎn)品組合中的第一款產(chǎn)品，展現(xiàn)了硅工藝技術(shù)的固有優(yōu)勢(shì)，與傳統(tǒng)的GaAs(砷化鎵)RF 開(kāi)關(guān)相比具有重大明顯優(yōu)勢(shì)。 這些優(yōu)勢(shì)包括：建立時(shí)間比GaAs快100倍;提供強(qiáng)大的ESD(靜電放電)保護(hù)(達(dá)到2000V，而GaAs僅為250V);能夠擴(kuò)展開(kāi)關(guān)的低頻端，比GaAs低1000倍，同時(shí)保持高線性度。

　　HMC1118LP3DE還提供4W的業(yè)界領(lǐng)先RF功率處理能力，在熱切換工作模式下達(dá)到0.5W。 它的熱切換功率處理能力超出了具有相同RF帶寬的競(jìng)爭(zhēng)器件的兩倍，這使工程師能夠在他們的應(yīng)用和系統(tǒng)中提高RF功率，而不會(huì)產(chǎn)生器件損壞的風(fēng)險(xiǎn)。 HMC1118LP3DE專為高隔離度進(jìn)行了優(yōu)化，在最大13 GHz的寬工作頻率范圍內(nèi)提供極其平坦的傳遞特性，同時(shí)保持最低9kHz的高信號(hào)保真度。 這些特性組合在一起，使得該開(kāi)關(guān)非常適合要求苛刻的測(cè)試和測(cè)量、自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備、國(guó)防電子產(chǎn)品、無(wú)線通信應(yīng)用，充當(dāng)傳統(tǒng) GaAs開(kāi)關(guān)的更低成本替代產(chǎn)品。

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　　HMC1118LP3DE SPDT開(kāi)關(guān)的主要特性

　　非反射式50歐姆設(shè)計(jì)

　　正控制：0/+3.3 V

　　低插入損耗： 0.68dB(8GHz時(shí))

　　高隔離度： 50dB(8GHz時(shí))

　　9KHz的低截止頻率

　　7.5微秒的快速建立時(shí)間(對(duì)于0.05 dB的最終RF輸出電平)

　　業(yè)界領(lǐng)先的高功率處理能力：

　　35.5 dBm的通過(guò)路徑

　　27 dBm端接路徑和熱切換應(yīng)用

　　· 高線性度：

　　P1dB： +37 dBm(典型值)

　　IIP3： +61 dBm(典型值)

　　ESD額定值： 2-KV HBM

　　定價(jià)和供貨