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          Diodes優(yōu)化互補(bǔ)式MOSFET提升降壓轉(zhuǎn)換器功率密度

          作者: 時間:2015-06-18 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            公司 ( Incorporated) 推出互補(bǔ)式雙 組合DMC1028UFDB,旨在提升直流-直流轉(zhuǎn)換器的功率密度。新產(chǎn)品把N通道及P通道集成到單一DFN2020封裝。器件設(shè)計針對負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器,為專用集成電路提供從3.3V下降到1V的核心電壓。目標(biāo)應(yīng)用包括以太網(wǎng)絡(luò)控制器、路由器、網(wǎng)絡(luò)接口控制器、交換機(jī)、數(shù)字用戶線路適配器、以及服務(wù)器和機(jī)頂盒等設(shè)備的處理器。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/275936.htm

            降壓轉(zhuǎn)換器可利用獨(dú)立的脈沖寬度調(diào)制控制器及外部MOSFET來提升設(shè)計靈活性,同時從開關(guān)元件提供分布式熱耗散。DMC1028UFDB MOSFET組合優(yōu)化了性能,可盡量提高3.3V到1V降壓轉(zhuǎn)換器的效率,并驅(qū)動高達(dá)3A的負(fù)載。這些優(yōu)化性能包括針對在三分之二的開關(guān)周期都處于導(dǎo)通狀態(tài)的低側(cè)N通道MOSFET,Vgs=3.3V下的19mΩ低導(dǎo)通電阻,還有為P通道MOSFET而設(shè),Vgs=3.3V下的5nc低柵極電荷,從而把開關(guān)損耗減到最低。

            DMC1028UFDB利用P通道MOSFET部署高側(cè)開關(guān)元件,相比需要充電泵的N通道MOSFET,能夠簡化設(shè)計及減少元件數(shù)量。與采用了相同尺寸封裝的獨(dú)立MOSFET相比,這種把P通道和N通道器件集成到單一DFN2020封裝的互補(bǔ)式雙 MOSFET組合可使整體功率密度翻倍。

            新產(chǎn)品以三千個為出貨批量。如欲了解進(jìn)一步產(chǎn)品信息,請訪問www.diodes.com。

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