光耦合器的加速也可降低功耗
影響標(biāo)準(zhǔn)光耦合器速度的主要因素是光電晶體管,其反應(yīng)速度相對(duì)較慢。本文將在LED驅(qū)動(dòng)端添加組件,以提升光耦合器的速度。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/276157.htmR1為原始LED電阻器,在增加額外電路之前使用。由于啟動(dòng)速度主要是由新加的電路決定,因此事實(shí)上R1的值可以高一些,從而有助于節(jié)省能源,并以功率較低的驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)LED.
圖1:與簡(jiǎn)單地通過電阻器驅(qū)動(dòng)LED相比,加速電路不僅增加了上升輸入信號(hào)的傳播速度,還在加速過程中降低了功耗。
開啟加速設(shè)備(turn-on speed-up device)是一個(gè)射極跟隨器(Emitter Follower)——NPN晶體管Q1.該射極跟隨器的射極電阻分為低位值REL和高位值REH,與電容器C并聯(lián)。當(dāng)輸入電壓VIN大幅上升時(shí),初始未充電的電容器C將暫時(shí)“短少(short)”REH.因此,流經(jīng)LED的射極電流增加:
電流IE不應(yīng)超過50 mA.VIN值出現(xiàn)階躍時(shí),電容器C隨時(shí)間常數(shù)τ= RELC呈指數(shù)級(jí)充電。電容器C的初始值按照以下公式來計(jì)算:
其中,tr0為未充電的光耦合器輸出的上升時(shí)間。
計(jì)算得出的電容值為13nF,導(dǎo)致輸出電壓VOUT超過正常值。因此,試驗(yàn)確定的電容器C最佳值應(yīng)為1.5nF,此時(shí)輸出電壓VOUT僅超出正常值2%,幾乎可以忽略不計(jì)。肖特基(Schottky)二極管D1和D2可協(xié)助電容器C快速放電,實(shí)現(xiàn)輸入下降沿(input falling-edge),同時(shí)在Q1和LED的基極-射極連接處抑制反向偏壓。
在Vcc= +5V,輸入電壓為0~+3V情況下對(duì)電路進(jìn)行測(cè)試。結(jié)果為:開啟延遲時(shí)間tdr = 0.5μs;完整開啟時(shí)間ton = tdr + tr =2.8μs.對(duì)于無加速電路(R1 = 3.6kΩ)的光耦合器,開啟延遲時(shí)間和完整開啟時(shí)間分別為3.2μs和10.8μs.
由此可以得到以下結(jié)論:由于加速電路的存在,上升沿延遲時(shí)間縮短至未修改耦合器的六分之一,開啟時(shí)間縮短至原有值的大約四分之一。注意:與IC1數(shù)據(jù)表上列出的5mA相比,得出這些結(jié)果的前提是把LED的正向電流降低至0.5mA.
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評(píng)論