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          微光CMOS圖像傳感器讀出電路設(shè)計(jì)

          作者: 時(shí)間:2015-07-06 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            當(dāng)前固體微光器件以EBCCD及EMCCD器件為主,隨著工藝及電路設(shè)計(jì)技術(shù)的發(fā)展,微光的性能在不斷提高,通過采用專項(xiàng)技術(shù),微光的性能已接近EMCCD的性能,揭開了CMOS在微光領(lǐng)域應(yīng)用的序幕。隨著對(duì)微光CMOS圖像傳感器研究的進(jìn)一步深入,在不遠(yuǎn)的未來,微光CMOS圖像傳感器的性能將達(dá)到夜視應(yīng)用要求,在微光器件領(lǐng)域占據(jù)重要地位。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/276859.htm

            讀出電路是微光CMOS圖像傳感器的重要組成部分,它的基本功能是將探測(cè)器微弱的電流、電壓或電阻變化轉(zhuǎn)換成后續(xù)信號(hào)處理電路可以處理的電信號(hào),它的噪聲水平限制著CMOS圖像傳感器在微光下的應(yīng)用。微光條件下像素的輸出信號(hào)十分微弱,任何過大的電路噪聲、偏移都可以將信號(hào)湮沒,因此提高讀出電路輸出信號(hào)的SNR是微光設(shè)計(jì)的關(guān)鍵之一。本文采用的新型電容反饋跨阻放大型讀出電路CTIA電路,可以提供很低的探測(cè)器輸入阻抗和恒定的探測(cè)器偏置電壓,在從很低到很高的背景范圍內(nèi),都具有非常低的噪聲,其輸出信號(hào)的線性度和均勻性也很好,適合微弱信號(hào)的讀出。

            1電路設(shè)計(jì)

            為完成探測(cè)器輸出電流向電壓的精確轉(zhuǎn)化,所設(shè)計(jì)的電路由CTIA和相關(guān)雙采樣(CDS)組成,CTIA由反向放大器和反饋積分電容構(gòu)成的一種復(fù)位積分器。其增益大小由積分電容確定。圖1為典型CTIA電路結(jié)構(gòu)。

            

           

            圖1典型CTIA結(jié)構(gòu)

            當(dāng)Reset信號(hào)為高時(shí),MOS開關(guān)開通,由運(yùn)算放大器的虛短特性可知,輸入端的電壓與Vref相等,此時(shí)積分電容兩端電壓相等,都為Vref.當(dāng)Reset信號(hào)變?yōu)榈碗娖綍r(shí),MOS開關(guān)關(guān)斷,由于輸入端的電壓由Vref控制,因此在積分電容Cf右極板上產(chǎn)生感應(yīng)電荷并慢慢積累,右極板電壓逐漸增大,積分過程開始。最后電壓通過相關(guān)雙采樣電路讀出。

            2關(guān)鍵單元電路設(shè)計(jì)

            2.1高增益低噪聲CTIA電路

            為了提高讀出電路的增益,使電路能在比較短的積分時(shí)間內(nèi),讀出PA級(jí)的電流,電路中的積分電容要非常小。同時(shí)為了提高信噪比,在減小積分電容的同時(shí),電路噪聲也要減小。在新型電路結(jié)構(gòu)中,采用T型網(wǎng)絡(luò)電容加nmos開關(guān),電路結(jié)構(gòu)如圖2所示。

            

           

            圖2高增益低噪聲CTIA電路

            由于C1和C2的作用,使得Cf在CTIA反饋回路中的有效值減少,其有效值為:Cfb= ( C2Cf)/(Cf +C1+C2),這樣Cf可以取相對(duì)較大的值,避免了使用小電容,因?yàn)樾‰娙菰诠に嚿陷^難實(shí)現(xiàn),且誤差較大。在本電路中,Cf=20 fF,C2=18 fF,C1=150 fF,則Cfb=2 fF.

            圖3為該電路的工作時(shí)序。

            

           

            圖3高增益低噪聲CTIA電路工作時(shí)序

            該電路可工作在高增益模式或低增益模式。在高增益模式,當(dāng)reset為高電平時(shí),gaIn導(dǎo)通,這時(shí)有效電容為Cf,當(dāng)reset為低電平時(shí),gaIn關(guān)斷,此時(shí)的積分電容為Cf、C1和C2組成的T型網(wǎng)絡(luò)電容,這樣保證了電路在復(fù)位時(shí)大電容,可有效降低噪聲,積分時(shí)小電容,可大大提高增益。當(dāng)gaIn一直為高電平時(shí),電路工作在低增益模式。

            2.2相關(guān)雙采樣

            相關(guān)雙采樣電路由兩組電容和開關(guān)組成,電路工作過程如下。首先,開始積分,R導(dǎo)通,相關(guān)雙采樣電路先讀出像素的復(fù)位信號(hào),存儲(chǔ)Vreset電壓到電容Creset中。積分完成,開關(guān)S導(dǎo)通,將電壓Vread儲(chǔ)存到電容Csig中。最后,將存儲(chǔ)在兩個(gè)電容之上的電壓值相減得到最終的像素輸出電壓值:

            Vout=Vouts -Voutr

            這種結(jié)構(gòu)可以很好的消除CMOS圖像傳感器中像素的復(fù)位噪聲、1/f噪聲以及像素內(nèi)的固定模式噪聲。

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