拼年底量產(chǎn)3D NAND、傳SK海力士大買設(shè)備
記憶體大廠整軍經(jīng)武,準(zhǔn)備展開新一波大戰(zhàn)!據(jù)傳三星電子和SK 海力士 (SK Hynix )將大買設(shè)備,積極投資3D NAND Flash;另外DRAM也將轉(zhuǎn)進(jìn)新制程,拉高戰(zhàn)力。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/276926.htm韓媒etnews 6日?qǐng)?bào)導(dǎo),記憶體大廠爭(zhēng)相量產(chǎn)3D NAND Flash,新制程和傳統(tǒng)NAND Flash相比,差別在于從平面改為立體,能層層堆疊,提高效能。據(jù)了解,由2D轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND Flash,顯影制程不變,但是金屬化和刻蝕步驟將分別增加50~60%、30~40%,需要采購(gòu)不少新設(shè)備。據(jù)了解,三星最早量產(chǎn)3D NAND Flash,目前正在擴(kuò)充西安3D NAND Flash廠產(chǎn)線,盼將堆疊層數(shù)從32層提高到48層。與此同時(shí),SK海力士也增加投資,預(yù)定今年下半量產(chǎn)3D NAND Flash,將打造36層的3D NAND Flash產(chǎn)線。
DRAM方面,今年下半,三星擬把20 奈米 DRAM制程比重提高到20%,SK海力士則要將25奈米DRAM制程比重提高至60%。為了轉(zhuǎn)進(jìn)新制程,兩家公司都將大肆采購(gòu)。
南韓媒體中央日?qǐng)?bào)日文版甫于6月19日?qǐng)?bào)導(dǎo),因固態(tài)硬碟(SSD)需求提振3D架構(gòu)的NAND型快閃記憶體 (Flash Memory)需求呈現(xiàn)急速增長(zhǎng),故三星計(jì)畫把生產(chǎn) 3D NAND的中國(guó)西安半導(dǎo)體工廠產(chǎn)量較現(xiàn)行擴(kuò)增50%。報(bào)導(dǎo)指出,據(jù)熟知 三星事務(wù)的關(guān)系人士透露,目前三星西安工廠晶圓月產(chǎn)量為4-5萬(wàn)片,而三星計(jì)畫于今(2015)年底前將其產(chǎn)量提高5成(增加2萬(wàn)片)至6-7萬(wàn)片。
barron`s.com 6月23日?qǐng)?bào)導(dǎo),雖然美光與英特爾(Intel Corp.)已在3月發(fā)表最新3D NAND技術(shù),還宣稱廠房已開始投產(chǎn)、預(yù)計(jì)今年底就會(huì)產(chǎn)能全開,但瑞士信貸分析師Keon Han與團(tuán)隊(duì)發(fā)表研究報(bào)告指出,三星在3D NAND領(lǐng)域擁有獨(dú)特優(yōu)勢(shì),因?yàn)樵摴究蓪?D NAND直接賣回給自己,而在客戶需求前景較為穩(wěn)定下,三星能夠直接打造全新的3D NAND廠房,不需要像競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手那樣把舊有廠房升級(jí)來(lái)節(jié)省成本。瑞信認(rèn)為,三星未來(lái)2年在3D NAND市場(chǎng)都不會(huì)面臨太多競(jìng)爭(zhēng)。
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