三星、SK海力士領(lǐng)軍　NAND Flash主導(dǎo)下半年設(shè)備投資

　　DRAM與NAND Flash市場預(yù)期下半年將持續(xù)榮景，主要設(shè)備廠商業(yè)績也有望改善。其中的最大幕后推手就是三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)。

　　據(jù)ET News指出，最主要的原因就在于下半年的設(shè)備投資將以NAND Flash為主，而三星正在擴(kuò)大3D NAND的產(chǎn)量;SK海力士也正在進(jìn)行年底量產(chǎn)3D NAND的準(zhǔn)備。南韓設(shè)備廠光是消化三星、SK海力士的新訂單就足以擴(kuò)大業(yè)績。而美光(Micron)、新帝(Sandisk)、東芝(Toshiba)等廠商也正在如火如荼的準(zhǔn)備3D NAND的量產(chǎn)。

　　若將構(gòu)造由原來以水平組成Cell的2D NAND，改為以垂直堆疊Cell的3D NAND，在生產(chǎn)芯片時(shí)，蒸鍍以及蝕刻制程的步驟也將增加。雖然曝光制程維持不變，但蒸鍍將會(huì)增加50~60%左右的步驟，而蝕刻也將增加30~40%。因此，供應(yīng)蒸鍍以及蝕刻設(shè)備的IPS、TES以及PSK等南韓設(shè)備廠皆有望受惠。

　　3D NAND正以大容量資料儲(chǔ)存裝置市場為中心，需求快速成長。此外，除了旗艦智能型手機(jī)外，中低價(jià)智能型手機(jī)儲(chǔ)存容量的提升，也加速了3D NAND市場的成長腳步。

　　三星電子也開始增設(shè)位于大陸西安的3D NAND Flash設(shè)備，一般認(rèn)為，三星將會(huì)在大陸西安投資量產(chǎn)48階層3D NAND。到2016年初為止，預(yù)期將會(huì)增設(shè)3.5萬片的規(guī)模。之后，也預(yù)期三星會(huì)將原來的32階層NAND轉(zhuǎn)換為48階層。

　　隨著三星的擴(kuò)產(chǎn)，預(yù)期將有望強(qiáng)化在3D NAND Flash市場的主導(dǎo)權(quán)。目前市場上雖然只有三星已量產(chǎn)3D NAND Flash，但日后隨著競爭對手技術(shù)的提升，有可能將會(huì)侵蝕三星既有的市場版圖。

　　市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS指出，全球NAND Flash市場上，2015年3D產(chǎn)品比重約為4.5%。2016年則將快速提升到21.2%，到了2017年時(shí)則將達(dá)到近半的41.2%，成長速度驚人。因此不只是三星，SK海力士、東芝等業(yè)者，都計(jì)劃在下半年開始進(jìn)軍3D NAND Flash市場。

　　SK海力士第二代36層3D NAND研發(fā)作業(yè)將在第3季初完成，目前正在進(jìn)行下半年量產(chǎn)3D NAND的準(zhǔn)備。2015年底將著手對第三代48層3D NAND進(jìn)行驗(yàn)證，開啟第三代NAND時(shí)代。

　　此外，東芝和新帝、美光和英特爾(Intel)也開始建立策略合作關(guān)系，共同研發(fā)3D NAND。據(jù)悉，東芝將于2016年上半將在日本四日市工廠量產(chǎn)128Gb 48層3D NAND。而美光和英特爾則是計(jì)劃在年底量產(chǎn)256Gb 32層堆疊MLC NAND和384Gb容量TLC NAND。

　　另一方面，DRAM由于微細(xì)制程的轉(zhuǎn)換，也預(yù)告了另外一波的投資潮。據(jù)悉，三星目前20納米DRAM比重，到第2季為止，約已擴(kuò)大到20%左右的水準(zhǔn)。而SK海力士25納米DRAM量尺比重，在第2季也已調(diào)整至60%左右。除了25納米以外，SK海力士也有可能會(huì)量產(chǎn)20納米DRAM，對此南韓設(shè)備廠的期待甚高。

　　最后，系統(tǒng)芯片量產(chǎn)投資也是備受矚目的領(lǐng)域。南韓業(yè)界指出，三星17產(chǎn)線已經(jīng)優(yōu)先選擇DRAM生產(chǎn)，不久應(yīng)該也會(huì)決定是否要投資系統(tǒng)芯片。三星最終到底是會(huì)選擇DRAM設(shè)備?還是系統(tǒng)芯片設(shè)備?更是近期所注目的焦點(diǎn)。