意法半導(dǎo)體（ST）的650V IGBT可大幅提升20kHz功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的能效

　　意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)推出新款M系列650V IGBT，為電源設(shè)計人員提供一個更快捷經(jīng)濟的能效解決方案，適用于暖通空調(diào)系統(tǒng)(HVAC)電機驅(qū)動、不間斷電源、太陽能轉(zhuǎn)換器以及所有的硬開關(guān)(hard-switching)電路拓撲20kHz功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。

　　采用意法半導(dǎo)體的第三代溝柵式場截止型(trench-gate field-stop)低損耗制造工藝，M系列IGBT有一個全新溝柵(trench gate)和特殊設(shè)計的P-N-P垂直結(jié)構(gòu)，可以在導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗之間找到了最佳平衡點，從而能夠大幅提升晶體管的整體性能。在150°C初始高結(jié)溫時，最小短路耐受時間為6µs，175°C最大工作結(jié)溫及寬安全工作范圍有助于延長元器件的使用壽命，同時提高對功率耗散有極高要求的應(yīng)用可靠性。

　　此外，新產(chǎn)品的封裝還集成了新一代續(xù)流二極管(Free-wheeling Diode)。新二極管提供快速恢復(fù)功能，并同時保持低正向壓降和高恢復(fù)軟度。這項設(shè)計不僅可實現(xiàn)優(yōu)異的EMI保護功能，同時可以有效降低開關(guān)損耗。正VCE(sat)溫度系數(shù)，結(jié)合緊密的參數(shù)分布，使新產(chǎn)品能夠安全并聯(lián)，并滿足更大功率的要求。

　　M系列產(chǎn)品的主要特性：

　　· 650V IGBT，大部分競爭產(chǎn)品為600V;

　　· 低VCE(sat) (1.55V @25°C) 電壓，能夠最大限度降低導(dǎo)通損耗;

　　· 出色的穩(wěn)健性，擁有廣泛的安全工作范圍以及無閂鎖現(xiàn)象(latch-free operation);

　　· 業(yè)內(nèi)最佳的Etot - Vce(sat) 平衡比;

　　· 175°C最大工作結(jié)溫;

　　· 高溫短路耐受時間最短6µs;

　　· 電壓過沖有限，確保關(guān)斷期間無振蕩;

　　最新發(fā)布的M系列擁有10A及30A兩種可選額定電流，提供各種功率封裝選擇，包括TO-220、D2PAK和TO-247 LL長腳封裝，與意法半導(dǎo)體針對高頻工業(yè)應(yīng)用研發(fā)的HB系列650V IGBT(高達60 kHz)相互補充。新產(chǎn)品已開始量產(chǎn)。欲了解更多詳情，請訪問www.st.com/igbt