借力英特爾專利技術(shù) Altera第十代Stratix具備獨(dú)特優(yōu)勢

　　觀察兩大可程式化邏輯元件供應(yīng)商賽靈思(Xilinx)與Altera之間的較勁，就如同看蘋果(Apple)與三星(Samsung)之間的戰(zhàn)爭一般令人興奮;不過筆者并沒有要比較上述兩家公司，而是著重于他們嘗試將技術(shù)推向極限以保持市場競爭優(yōu)勢的、令人屏息的熱忱。

　　Altera在不久前才發(fā)表了第十代Stratix系列產(chǎn)品(參考閱讀：采用創(chuàng)新架構(gòu)　Altera最新Stratix 10亮相);該公司所關(guān)注的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)與今日的各種關(guān)鍵應(yīng)用相關(guān)，包括資料中心、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、400G/terabit網(wǎng)路、光學(xué)傳輸、5G無線通訊與8Kg訊。以資料中心為例，這類應(yīng)用對更高的運(yùn)算性能、靈活度與節(jié)能效益有越來越多需求;不過資料中心偏好使用商用伺服器，如此能更容易維護(hù)一個(gè)快速擴(kuò)充的基礎(chǔ)設(shè)施。

　　物聯(lián)網(wǎng)是將各種智慧裝置相互連結(jié)在一起，以及與云端或是資料中心連結(jié);這類應(yīng)用需要高頻寬的基礎(chǔ)設(shè)施，好將資料中心處理分析過的資訊傳送到連網(wǎng)裝置上。因此，Altera認(rèn)為這類具備最高成長潛力的應(yīng)用領(lǐng)域，將會(huì)同時(shí)帶來為迎合以下需求必須克服的挑戰(zhàn)：不斷增加的功能、更高的頻寬與靈活度，以及最基本的小尺寸與更低耗電需求;當(dāng)然還有最低成本。

　　所有這一切無法輕易地在電路板上實(shí)現(xiàn)，理由與不斷驅(qū)使我們實(shí)現(xiàn)更高整合度的原因是一樣的：PCB的尺寸大到無法達(dá)成我們渴望的功能性。再加上互連介面的頻寬限制，以及PCB走線的功率耗損，因此你有足夠的動(dòng)機(jī)持續(xù)追求摩爾定律(Moore‘s Law)的預(yù)測。

　　Altera以更精細(xì)的14納米制程來因應(yīng)以上挑戰(zhàn)，而對手Xilinx則是在最新Virtex、Kintex 與Zynq系列產(chǎn)品采用臺積電(TSMC)的16納米制程(發(fā)表時(shí)間在Altera的Stratix 10問世前不久);不過因?yàn)橛懈鞣NIP區(qū)塊、嵌入式DRAM與快閃記憶體、影像感測器以及邏輯，成熟技術(shù)各自在不同的制程節(jié)點(diǎn)，積體(monolithic)解決方案已經(jīng)不可行，所以兩家公司紛紛采用異質(zhì)3D封裝技術(shù)。不過因?yàn)樽鞣ú煌?，在性能與成本方面也會(huì)有所不同。

　　Altera的異質(zhì)3D SiP技術(shù)將收發(fā)器裸晶(該公司稱之為Tile)與核心FPGA結(jié)構(gòu)裸晶分開，因此收發(fā)器是位于核心結(jié)構(gòu)旁邊，能以不同的制程節(jié)點(diǎn)來生產(chǎn)。

　　圖1： Altera的異質(zhì)3D SiP技術(shù)將收發(fā)器Tile與核心FPGA結(jié)構(gòu)裸晶分開

　　因此能以不同的制程節(jié)點(diǎn)來生產(chǎn)

　　最初的Stratix 10收發(fā)器Tile，包括PCIe Gen3 x16硬IP區(qū)塊;Altera表示，未來可能會(huì)推出其他硬體IP，例如PCIe Gen4、多埠乙太網(wǎng)路以及光收發(fā)器(更多Stratix 10相關(guān)資訊請參考此連結(jié))。

　　而Altera的解決方案與Xilinx產(chǎn)品最大的差異化，在于前者采用英特爾(Intel)專利的EMIB (Embedded Multi-die Interconnect Bridge)技術(shù);EMIB是具備多繞線層(routing layer)的小型橋接晶片，可取代矽中介層(interposer)與矽穿孔(TSV)技術(shù)。

　　根據(jù)Intel與Altera的介紹，這種EMIB技術(shù)能降低訊號劣化與延遲的問題，因?yàn)槁憔Р槐赝高^中介層與TSV與封裝連結(jié)。

　　EMIB vs. 矽中介層-TSV

　　在一般晶片封裝中，矽中介層是一片比其他封裝中的互連裸晶尺寸更大的矽;而EMIB這種矽橋接(bridge)則是一小片嵌入兩片互連裸晶邊緣之下的矽，這能讓不同尺寸的裸晶在不同的地方連接，因此降低異質(zhì)裸晶之間的物理限制

　　圖2： EMIB技術(shù)能減少對微凸塊的需求，因此降低制造的復(fù)雜度

　　在非EMIB解決方案中的大片矽中介層會(huì)(根據(jù)Altera說法是“過分地”)提高成本，而且容易出現(xiàn)像是變形曲翹的問題;EMIB也能降低對微凸塊數(shù)量的需求──傳統(tǒng)晶片會(huì)采用大量有微通孔的微凸塊，這提升了制造復(fù)雜度也會(huì)影響良率，當(dāng)然也是提高成本的因素之一。對于不太可能取得EMIB技術(shù)的競爭隊(duì)史來說，Altera看來略勝一籌，不是嗎?