第二季DRAM位元產(chǎn)出量增、產(chǎn)值衰退

　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示，DRAM市場在 2015年第二季受到合約均價大幅衰退約10%的影響，雖然位元產(chǎn)出量持續(xù)增加，總產(chǎn)值仍呈現(xiàn)4.8%的季衰退，來到114億美元。

　　在淡季影響下，各DRAM廠第二季營收都呈現(xiàn)衰退走勢，然而由于制程持續(xù)轉(zhuǎn)進，毛利并未大幅縮減，三星(Samsung)、SK海力士(Hynix)與美光(Micron)的DRAM產(chǎn)品別營業(yè)獲利比例分別為48%、37%與21%，因此DRAM產(chǎn)業(yè)真正的考驗將會落在未來的幾季;在需求端如筆電與智慧型手機領域持續(xù)疲弱，但供給端來自20nm/21nm的比例將持續(xù)提升，DRAMeXchange預期未來DRAM價格的跌幅恐怕持續(xù)。

　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，三星與SK海力士在全球第二季DRAM廠自有品牌記憶體市占率各為45.1%以及27.7%，穩(wěn)定盤據(jù)全球超過七成的供給比例。美光半導體約為20.6%，主要衰退除了來自于跌價損失外，位元供給未現(xiàn)成長也是原因之一。

　　第二季DRAM廠商營收排行

　　從技術面觀察，DRAMeXchange認為三星的最新制程20nm表現(xiàn)令人驚艷，不僅導入順利、良率穩(wěn)定，時程更是大幅領先其競爭對手約半年到一年，持續(xù)展現(xiàn)其領導廠商的制程優(yōu)勢。目前三星的20nm較大幅度集中在標準型記憶體以及伺服器記憶體，但很快就會普及到所有的產(chǎn)品類別，在現(xiàn)今跌價的市場中持續(xù)帶來成本優(yōu)化的優(yōu)勢。

　　SK海力士最新制程21nm尚處于最初期的試產(chǎn)階段，已經(jīng)遞延到第三季底才送交驗證的樣品，真正大量生產(chǎn)的時序會跟美光的20nm相當接近，落在明年的第一季。而美光集團方面，制程微縮與上季相較未顯突破，仍維持在30nm，使得成本壓力相較于兩家韓商高出許多。

　　在臺系廠商部分，南亞科目前在30nm微縮制程轉(zhuǎn)進速度順利，預計產(chǎn)出年末將來到60%，營收方面小幅下滑5.1%，20nm制程預計明年下半年新工廠完工后導入量產(chǎn)行列。華亞科由于產(chǎn)品組合多以近期下跌幅度最劇烈的標準型記憶體與伺服器用記憶體為主，加上30nm制程落后于韓系廠商，毛利率從上季的47.2%大幅下修至第二季的34.9%。

　　力晶由于標準型記憶體生產(chǎn)多屬代工性質(zhì)，營收較第一季維持一樣衰退，25nm制程方面現(xiàn)已進入試產(chǎn)階段，如順利最快明年初可以導入量產(chǎn)。華邦雖無標準型記憶體產(chǎn)品產(chǎn)出，但大容量利基型記憶體市場也陷入殺價競爭的困境，營收衰退8.5%左右，獲利也小幅下滑至11.2%。

　　第二季各區(qū)域市場DRAM營收占有率