三星新快閃存儲(chǔ)器技術(shù) 提升手機(jī)儲(chǔ)存容量
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時(shí)間：2015-08-12
來(lái)源：經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)
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三星宣布將以旗下第三代V-NAND技術(shù)打造容量更大、體積更小的256-gigabit (32GB)3D快閃記憶體模組，藉此讓手機(jī)儲(chǔ)存元件、PC用SSD容量可大幅提升。同時(shí)，藉由新技術(shù)投入將可提升約40%產(chǎn)能，并且將能以此提供價(jià)格更具實(shí)惠的快閃記憶體模組，預(yù)計(jì)最快在今年下半年間至明年初即可應(yīng)用在實(shí)際市售產(chǎn)品。
本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/278600.htm
根據(jù)三星公布消息，確定將在今年下半年內(nèi)投入第三代V-NAND技術(shù)，藉此打造容量更大、體積更小的256-gigabit (32GB)3D快閃記憶體模組，進(jìn)而提升手機(jī)儲(chǔ)存元件與PC用SSD相同體積的資料存放容量，其中后者將能加速全面邁入TB等級(jí)規(guī)格，同時(shí)于預(yù)期手機(jī)基本儲(chǔ)存容量也能進(jìn)一步提升。
以新技術(shù)打造的48層、3-bit MLC 256Gb V-NAND快閃記憶體，將可在儲(chǔ)存相同資料量時(shí)節(jié)省約30%耗電，同時(shí)相比先前32層、3-bit MLC 128Gb V-NAND快閃記憶體規(guī)格，約可提升40%產(chǎn)能表現(xiàn)，預(yù)期將可進(jìn)一步降低快閃記憶體市場(chǎng)售價(jià)，并且讓SSD產(chǎn)品價(jià)格更趨于親民化，預(yù)期也將可讓入門(mén)款智慧手機(jī)儲(chǔ)存容量擴(kuò)大。
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