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          零基礎(chǔ)學(xué)FPGA (二十三) SDR SDRAM(架構(gòu)篇)

          作者: 時(shí)間:2015-08-13 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            今天我們來講的是的架構(gòu)以及設(shè)計(jì),這也是小墨第一次接觸架構(gòu),也談不上給大家講,就是把我理解的當(dāng)做一個(gè)筆記分享給大家,有什么錯(cuò)誤也請(qǐng)積極指正,畢竟我也是沒有老師教,也是自己摸索的,難免有些不合理的地方。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/278695.htm

            一、 工作部分

            1、上電初始化

            

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            我們先來看第一部分,上電初始化。上電初始化我們知道,上電之后我們需要等待200us的穩(wěn)定期,這段時(shí)間我們可以用一個(gè)定時(shí)器來計(jì)數(shù),這沒什么問題,然后進(jìn)入的是預(yù)充電部分,這個(gè)時(shí)候,預(yù)充電的時(shí)候,sdram_cmd模塊會(huì)檢測(cè)此時(shí)的初始化狀態(tài)機(jī)的狀態(tài),若處于預(yù)充電狀態(tài),那么sdram_cmd模塊向發(fā)命令,具體命令sdram的datasheet里面有,發(fā)的是一個(gè)precharge,即預(yù)充電,發(fā)完命令之后,需要等待一段時(shí)間,來確保這個(gè)命令被SDRAM捕獲,這等待的時(shí)間,特權(quán)老師用的方式我覺得很好

            

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            用一個(gè)宏定義,當(dāng)計(jì)數(shù)器計(jì)數(shù)到相應(yīng)的時(shí)間后,預(yù)充電完成參數(shù)置位 即end_trp 置位,下面的用法也是一樣,即當(dāng)初始化狀態(tài)機(jī)進(jìn)入預(yù)充電狀態(tài)i_pre時(shí),計(jì)數(shù)器開啟,開始計(jì)數(shù),計(jì)數(shù)完成,也就是預(yù)充電結(jié)束的時(shí)候,計(jì)數(shù)器復(fù)位,這個(gè)復(fù)位的控制,可以用case語句來檢測(cè)初始化狀態(tài)機(jī)的狀態(tài),在相應(yīng)的狀態(tài)給予相應(yīng)的復(fù)位與置位

            接下來是8個(gè)自刷新,操作和預(yù)充電一樣

            到了模式寄存器的配置階段,我們需要選定L_bank,以及SDRAM工作模式的配置,當(dāng)sdram_cmd模塊檢測(cè)到初始化狀態(tài)機(jī)到達(dá)模式寄存器配置階段時(shí),我們的給SDRAM的sdram_bank端口賦相應(yīng)的值,并且設(shè)置地址總線

            

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            當(dāng)初始化結(jié)束的時(shí)候,標(biāo)志位init_done置位,告訴工作狀態(tài)機(jī),初始化狀態(tài)機(jī)已經(jīng)結(jié)束,進(jìn)入工作狀態(tài)。下面是我用word做的上電初始化的狀態(tài)轉(zhuǎn)移圖

            

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            2、自刷新

            初始化結(jié)束之后,SDRAM為了防止數(shù)據(jù)丟失,要進(jìn)行自刷新,上一篇文章已經(jīng)講過了,刷新2^12行需要64ms,也就是每15us刷新一行,也就是我們需要每15us發(fā)送一次自刷新請(qǐng)求給SDRAM工作狀態(tài)機(jī),狀態(tài)機(jī)一旦檢測(cè)到自刷新請(qǐng)求信號(hào),就告訴sdram工作模塊,然后工作模塊就向SDRAM發(fā)送自刷新命令,即CMD_A_PEF

            

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            下面是自刷新的狀態(tài)轉(zhuǎn)移圖

            

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            3、讀寫狀態(tài)

            初始化結(jié)束以后,SDRAM就處于工作狀態(tài),每15us進(jìn)行一次自刷新,這個(gè)時(shí)候,如果想要讀或?qū)憯?shù)據(jù)的話,即向工作狀態(tài)機(jī)sdram_work_FSM發(fā)送讀寫請(qǐng)求,如果是讀請(qǐng)求,那么工作狀態(tài)機(jī)進(jìn)入行有效狀態(tài),也即激活狀態(tài)w_active,此時(shí),sdram_cmd模塊會(huì)發(fā)送行有效命令,即CMD_ACTIVEA

            同時(shí),我們需要將我們的12位行地址送給我們的sdram地址總線sdram_addr,然后便是一個(gè)等待時(shí)間段,TRCD,這個(gè)時(shí)間段里我們是不需要做什么工作的,只需等待TRCD結(jié)束

            TRCD結(jié)束的時(shí)候,工作狀態(tài)機(jī)進(jìn)入讀狀態(tài),此時(shí),我們需要發(fā)送列地址選中我們的存儲(chǔ)單元,并告訴sdram_cmd模塊發(fā)送讀命令,這個(gè)過程是讀命令和列地址同時(shí)發(fā)送的。我們知道,讀命令發(fā)出之后,會(huì)進(jìn)入潛伏期TCL。

            這個(gè)狀態(tài)我們也不需要做什么,因?yàn)槲覀冊(cè)谀J郊拇嫫髋渲秒A段已經(jīng)將各種參數(shù)配置好了,包括什么潛伏期長(zhǎng),突發(fā)讀寫長(zhǎng)度之類的,等到潛伏期結(jié)束之后,SDRAM會(huì)自動(dòng)進(jìn)行讀數(shù)據(jù),而且讀的數(shù)據(jù)長(zhǎng)度會(huì)跟我們之前設(shè)置的一樣長(zhǎng),這個(gè)讀數(shù)據(jù)的狀態(tài)需要時(shí)間,即我們的工作狀態(tài)機(jī)工作在w_rd狀態(tài),等待8個(gè)時(shí)鐘周期之后,所有的數(shù)據(jù)都已經(jīng)被送到數(shù)據(jù)總線。

            這個(gè)時(shí)候我們需要等一會(huì),因?yàn)槲覀冊(cè)诎l(fā)送讀命令的時(shí)候,A10是置1的,也就是說,每次讀寫完之后要自動(dòng)進(jìn)行預(yù)充電,從而才可以打開新的工作行,這時(shí),我們的工作狀態(tài)機(jī)即進(jìn)入了w_rwait狀態(tài),等到預(yù)充電結(jié)束,才完成一次讀操作,返回初始狀態(tài),等待下一個(gè)請(qǐng)求的到來

            

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            下面是讀寫狀態(tài)轉(zhuǎn)移圖,由于寫狀態(tài)只是沒有潛伏期,寫完之后有一個(gè)寫回延時(shí),其他地方與讀狀態(tài)相同,我就不再介紹了

            

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            二、模擬信號(hào)產(chǎn)生部分

            我們先來想一下我們的要想測(cè)試我們的SDRAM控制器是否正確,都需要什么測(cè)試參數(shù)吧

            1、 首先我們需要發(fā)送讀寫地址對(duì)吧,但是我們需要有一個(gè)間隔,即每隔一段時(shí)間發(fā)送一次寫地址,為什么呢?因?yàn)槲覀冎霸谀J郊拇嫫髋渲玫臅r(shí)候,定義了突發(fā)讀寫的長(zhǎng)度為8,也就是我們發(fā)送一個(gè)地址,那么sdram會(huì)在連續(xù)的8個(gè)地址中連續(xù)寫8次數(shù),我們?nèi)绻侔l(fā)送地址,需要等到這8次地址寫完之后再發(fā)送下一個(gè)地址這個(gè)延時(shí)大概為640ns,也就是計(jì)數(shù)器為什么要計(jì)到3f的原因,下一個(gè)地址的發(fā)送就需要比之前的地址大8了,比如第一次我發(fā)送的是0地址,那,隔一段時(shí)間之后,我就需要發(fā)送8地址了。

            讀地址也一樣,當(dāng)寫地址寫滿了之后,讓地址清零,從零地址讀起即可

            

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            還有再解釋一下,特權(quán)老師為什么定義22位的模擬地址,22位的模擬地址包括2位的L_BANK的地址,12位行地址和8位列地址。有人會(huì)問,為什么是行地址和列地址分開呢,不是行列地址共用嗎?注意這里只是模擬地址,到時(shí)候我們給地址總線賦值的時(shí)候是分開賦值的

            2、然后我們需要產(chǎn)生遞增數(shù)據(jù),每640ns產(chǎn)生8個(gè)數(shù)即可

            

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            3、在發(fā)送遞增數(shù)據(jù)之前,我們需要發(fā)送寫請(qǐng)求信號(hào),這個(gè)寫請(qǐng)求信號(hào)是要發(fā)送到我們接下來要講的FIFO里面,發(fā)送寫請(qǐng)求之后,數(shù)據(jù)進(jìn)入FIFO,注意,這里的寫請(qǐng)求是發(fā)送給FIFO的,不是發(fā)送到SDRAM的,SDRAM的寫請(qǐng)求是由FIFO發(fā)出去的

            

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            有人會(huì)問,寫請(qǐng)求有了,是不是還該有讀請(qǐng)求,要知道,我們的數(shù)據(jù)是先寫到FIFO里面,再有SDRAM對(duì)FIFO進(jìn)行讀操作,將寫進(jìn)FIFO的數(shù)據(jù)再送到SDRAM,而我們從SDRAM中讀回的數(shù)據(jù),同樣要寫到FIFO里面,然后我們?cè)購腇IFO里面讀。是不是有人會(huì)問,這不是多此一舉嗎?其實(shí)不然,要知道我們的SDRAM是工作在100M的時(shí)鐘頻率下,而且是有相位偏移的,對(duì)我們來說是一個(gè)異步時(shí)鐘,如果我們不采用FIFO的形式,那很容易發(fā)生亞穩(wěn)態(tài)問題,導(dǎo)致系統(tǒng)不穩(wěn)定

            三、數(shù)據(jù)緩存部分

            1、寫FIFO

            

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            我來解釋一下,寫入時(shí)鐘,也就是我們的時(shí)鐘,50MHZ,在這個(gè)時(shí)鐘頻率下,我們需要給FIFO發(fā)送寫請(qǐng)求和遞增數(shù)據(jù),wrusedw反映了我寫入FIFO的占用量,當(dāng)sdram工作狀態(tài)機(jī)檢測(cè)到寫請(qǐng)求之后(FIFO發(fā)出的寫請(qǐng)求),會(huì)產(chǎn)生一個(gè)響應(yīng),告訴FIFO要讀數(shù)據(jù)了,這個(gè)響應(yīng)作為FIFO的讀信號(hào),在100MHZ的時(shí)鐘頻率下,將我們寫入的數(shù)據(jù)讀走,送到SDRAM數(shù)據(jù)總線上

            2、讀FIFO

            

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            讀FIFO跟寫FIFO相反,寫FIFO時(shí)鐘為100MHZ,在這個(gè)時(shí)鐘頻率下,我們將從SDRAM中讀回的數(shù)據(jù)寫到FIFO里面,注意這里我們還用了wrusedw,來反應(yīng)寫FIFO的占用量,也就是我們從SDRAM里讀了多少數(shù)據(jù),然后在50MHZ的時(shí)鐘下,將從SDRAM讀回的數(shù)據(jù)采集下來,送到顯示模塊來驗(yàn)證是否是遞增數(shù)據(jù),這個(gè)顯示模塊我們用數(shù)碼管來顯示,比較方便,為了觀察清楚,我們可以在數(shù)碼管顯示模塊,每隔1S種發(fā)送一次讀FIFO請(qǐng)求,這樣在數(shù)碼管上,會(huì)每隔1秒鐘顯示一個(gè)遞增的數(shù)據(jù)了

            大體上就是這么多了,整個(gè)SDRAM的工作過程就介紹完了,還有些細(xì)節(jié)沒講到的,大家可以自行消化,有不懂的可以給我留言,或者加我QQ微信,歡迎交流

            下一篇文章我們講時(shí)序,真正在板子上讓它跑起來才是王道~

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