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          嵌入式設(shè)計入門必讀:電路設(shè)計之三極管基礎(chǔ)電路神級設(shè)計寶典

          作者: 時間:2015-09-06 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            開關(guān)器件

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/279682.htm

            在電路中經(jīng)常使用IO口來控制某些電路的開關(guān)功能,此時可作為開關(guān)器件來使用。作為開關(guān)器件使用時需使用開關(guān)如9014和9015等小功率器件,此時處于飽和狀態(tài)?,F(xiàn)舉一例來說明該類電路特點:

            

           

            為仿真電路圖不是很完整,該電路為晶振關(guān)閉功能電路,其中VO接MCU晶振輸入端如(XIN)。

            若Q1和Q3基極同時為低時,Q2導(dǎo)通而使得VO為0造成晶振停振關(guān)閉處理器。我們分析R3和R4(實際電路470K)使得Q2和Q3處于飽和態(tài);Q3為Q1集電極負載,調(diào)整R5阻值時可控制Q1處于飽和態(tài)或放大態(tài)。要使Q2基極導(dǎo)通必須使Q1提供足夠大電流才滿足條件,只有Q1處于放大態(tài)才滿足條件;

            R5=100K時,仿真圖如下:

            

           

            R5=470K時,仿真圖如下:

            

           

            通過以上分析可以得出只有當電流足夠大時才能使Q2導(dǎo)通而關(guān)閉晶振,以上是一個較復(fù)雜的組合開關(guān)電路。

            功率器件

            在電路設(shè)計中,很少使用到功率放大電路,昨天將大學(xué)模電教材晶體管內(nèi)容通讀后有所感悟,雖然當時模電自認為學(xué)的不錯但重讀之后才發(fā)現(xiàn)當時只是死記硬背而沒有真正領(lǐng)悟。

            靜態(tài)工作點不但決定是否會失真,而且還影響電壓放大倍數(shù)、輸入電阻等動態(tài)參數(shù)。然而在實際電路中由于環(huán)境溫度的變化而使得靜態(tài)工作點補穩(wěn)定,從而使得動態(tài)參數(shù)不穩(wěn)定,更嚴重可能造成電路不能正常工作;在所有環(huán)境因素中,溫度對動態(tài)參數(shù)的影響是最大的。

            當溫度升高時,晶體管放大倍數(shù)變大且ICE明顯變大。以共射極電路為例,當溫度升高時將使Q點向飽和區(qū)域移動;當溫度降低時將使Q點向截止區(qū)域移動。

            下圖是典型的靜態(tài)工作點電路

            

           

            圖AB均有相同的等效直流電路。為了穩(wěn)定Q工作點,通常要滿足I1>>IBQ而使得

            VBQ =Rb1*VCC/ Rb2+ Rb1

            通過這樣設(shè)計使得無論環(huán)境溫度怎么變化,VBQ將基本保持不變。

            當溫度升高時ICE變大,而使得VEQ變大,因VBE=VBQ– VEQ所以VBE將變小;由于VBE變小故IBE也將變小,從而ICE將變小。

            RE的使用將直流負反饋引入使得Q工作點越穩(wěn)定,一般而言是反饋越強,Q點越穩(wěn)定。

            其他穩(wěn)定Q工作點電路

            

           

            以上為利用二極管方向特性和正向特性進行溫度補償?shù)碾娐贰?/p>

            對圖A而言,因為IRB=ID+IBE,當溫度上升時ICE和ID變大(方向電流隨溫度升高變大),這樣將使得IBE減小而造成ICE減小。

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          關(guān)鍵詞: 嵌入式 三極管

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