業(yè)界首款900V SiC MOSFET,導(dǎo)通電阻65 mΩ
SiC市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者Cree(科銳公司)近期推出了首款能夠突破業(yè)界SiC功率器件技術(shù)的900V MOSFET平臺(tái)。該款升級(jí)版平臺(tái),基于Cree的SiC平面技術(shù)從而擴(kuò)展了產(chǎn)品組合,能夠應(yīng)對(duì)市場(chǎng)更新的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn),可用于更高直流母線電壓。且領(lǐng)先于900V超結(jié)Si基MOSFET技術(shù),擴(kuò)大了終端系統(tǒng)的功率范圍,在更高溫度時(shí)仍能提供低導(dǎo)通電阻Rds(on),大大減小了熱管理系統(tǒng)的尺寸,很好地解決了散熱及顯著降額的問(wèn)題。與目前的Si基方案相比, 900V SiC MOSFET平臺(tái)為電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)者提供了更多的創(chuàng)新空間,方便實(shí)現(xiàn)尺寸更小、速度更快、溫度更低、效率更高的電源設(shè)計(jì)方案。這也是新一代電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)與硅成本平價(jià)的解決方案。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/279897.htm圖 基于900V SiC MOSFET平臺(tái)的C3M0065090J
世強(qiáng)代理的C3M0065090J,是該平臺(tái)的主導(dǎo)產(chǎn)品,其額定工作電壓/電流分別為900V/32A;在25°C條件下,可以實(shí)現(xiàn)最低至65 mΩ的額定導(dǎo)通電阻,在更高溫度(Tj=150°C)工作時(shí),導(dǎo)通電阻Rds(ON)也只有90mΩ,減少了系統(tǒng)的冷卻需求。另外,該產(chǎn)品不僅擁有業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的TO247-3/TO220-3封裝,還能夠提供低阻抗D2Pak-7L表面貼封裝,采用了開(kāi)爾文(Kelvin)連接以幫助減小柵極振蕩。C3M0065090J適合用于包括可再生能源逆變器、電動(dòng)汽車(chē)充電系統(tǒng)、三相工業(yè)電源、高電壓直流/直流轉(zhuǎn)換器、關(guān)模式電源在內(nèi)的高頻電力電子應(yīng)用。
目前,世強(qiáng)已全面代理了Cree SiC相關(guān)產(chǎn)品,并且保證具有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格,歡迎致電400-887-3266咨詢訂購(gòu)。
C3M0065090J的功能與特點(diǎn):
• 采用卓越的C3M SiC Mosfet平面技術(shù),n溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù);
• 高阻斷電壓、高開(kāi)關(guān)頻率、高功率密度;
• 應(yīng)用快速體二極管,反向恢復(fù)時(shí)間短;
• 額定電壓/電流值為900V/32A,額定導(dǎo)通電阻最低至65mΩ(25°C)、90mΩ(Tj=150°C);
• 標(biāo)準(zhǔn)TO247-3/TO220-3封裝和低阻抗D2Pak-7L表面貼封裝;
• 無(wú)鹵素、通過(guò)無(wú)鉛認(rèn)證;
評(píng)論