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          三星推全新芯片 未來旗艦機內(nèi)存將達6GB
          
						
          
				作者：
				時間：2015-09-10
				來源： 手機中國  
				
				
				
				
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          　　9月9日消息，三星宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)12Gb LPDDR4 RAM芯片，該芯片采用20nm工藝制程，每個可以持有1.5GB的信息，最終能使一款智能手機擁有多達6GB的運行內(nèi)存。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/279926.htm

          　　
          

          三星推全新芯片 未來旗艦機內(nèi)存將達6GB第1張圖
          

           
          

          　　未來旗艦將搭載6GB RAM
          

          　　據(jù)三星介紹，這款12Gb LPDDR4 RAM芯片相比之前的8Gb芯片速度提升了30%，功耗則減少了20%。
          

          　　三星表示，未來的旗艦機將能夠支持6GB RAM，允許在新系統(tǒng)中實現(xiàn)無縫多任務處理和最大性能。難道明年推出的Galaxy S7會是最先試水的旗艦設備?
          

          　　早在2014年12月，三星就是第一個生產(chǎn)8Gb(1GB)12Gb LPDDR4 RAM芯片的廠商。如今已經(jīng)發(fā)布上市的一加手機2、三星Galaxy S6 edge+和三星Note 5都配備了8Gb芯片，支持4GB運行內(nèi)存。不得不說，即使智能機業(yè)務大不如從前，但三星在芯片研發(fā)方面的技術(shù)在全球還是遙遙領(lǐng)先的。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關(guān)鍵詞：
            			            三星
                        LPDDR4
                        
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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