我的一些數(shù)字電子知識(shí)總結(jié)（1）

　　簡(jiǎn)介：和大家分享一些數(shù)字電子技術(shù)知識(shí)。

　　1、由于IC中一般有大量的晶體管參與工作，所以我們必須特別注意芯片的功耗問(wèn)題，過(guò)大的功耗會(huì)使得芯片大量發(fā)熱而導(dǎo)致無(wú)法穩(wěn)定運(yùn)行。

　　2、在一個(gè)邏輯門中，當(dāng)噪聲信號(hào)消失后，輸出會(huì)回到初始狀態(tài)，然而，對(duì)于一個(gè)觸發(fā)器而言，由于它的記憶特性，它將保持新的狀態(tài)!

　　3、三態(tài)結(jié)構(gòu)充分利用了推拉式輸出結(jié)構(gòu)工作速度快的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)允許輸出連接在一起，共用一個(gè)公共線。

　　4、在數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，我們可以通過(guò)減小負(fù)載電容、增加驅(qū)動(dòng)電流來(lái)縮短延遲時(shí)間，因?yàn)檠舆t時(shí)間是由邏輯電路的負(fù)載電容和驅(qū)動(dòng)電流決定的。

　　5、很多的IIC總線設(shè)備都是直接使用計(jì)算機(jī)或數(shù)字設(shè)備的5V電源作為其電源，它們之間采用6針DIN插頭連接。

　　6、有時(shí)為了實(shí)現(xiàn)高電壓和大電流的控制，我們必須設(shè)計(jì)和使用緩沖器接口電路來(lái)連接通常的低電平、小電流的TTL或者CMOS電路。

　　7、使得ECL器件中的雙極型三極管響應(yīng)非?？斓年P(guān)鍵是使其三極管始終處于非飽和狀態(tài)。

　　8、漏極開(kāi)路輸出的上拉電阻應(yīng)該盡量的小，以達(dá)到盡可能高的速度，因?yàn)檫@可以減小低電平到高電平轉(zhuǎn)換的RC時(shí)間常數(shù)，但是也不能太小了，它的最小值應(yīng)該由漏極開(kāi)路輸出的最大吸收電流來(lái)決定。

　　9、數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，在工作頻率很高時(shí)，一般只有高速的光電隔離電路才能滿足數(shù)據(jù)傳輸?shù)男枰?/p>

　　10、以前從電路書上看到一個(gè)日本人說(shuō)過(guò)，可以采用晶體管或FET并聯(lián)的方法形成電路的低噪聲化。至于什么原因，嘿嘿，我至今還沒(méi)想明白。

　　11、電流模式的信號(hào)傳輸比CMOS信號(hào)傳輸更好，因?yàn)殡娏髂Ｊ降男盘?hào)傳輸可以提供更低的電源、更快的操作和更好的抗噪聲能力。

　　12、對(duì)于高速信號(hào)來(lái)說(shuō)，由于趨膚效應(yīng)的原因，傳輸導(dǎo)體可以看做是一個(gè)LPF。

　　13、設(shè)計(jì)數(shù)字電路時(shí)，使用小電阻的好處是可以提高器件開(kāi)關(guān)速度和抗噪聲的能力，但是這是以增加功率損耗為代價(jià)的。

　　(P=I2*R)

　　14、在使用DRAM時(shí)，存儲(chǔ)在電容器里的電荷會(huì)一點(diǎn)一點(diǎn)地自然漏掉，因此，在每次讀出存儲(chǔ)內(nèi)容后都必須進(jìn)行新的充電，這就是所謂的“刷新”。

　　15、設(shè)計(jì)時(shí)需要注意的是，不管在系統(tǒng)的什么區(qū)域，只要存在電流，就會(huì)產(chǎn)生電感，這可是引起“地彈”現(xiàn)象的“罪魁禍?zhǔn)?rdquo;!

　　16、在1KHz時(shí)，假設(shè)一段短的接地導(dǎo)線可以測(cè)得其電阻為0.01歐姆，等到了1GHz應(yīng)用時(shí)，由于傳輸線的“趨膚效應(yīng)”，電阻值可能增加到1歐姆左右，更糟糕的是，同時(shí)還帶來(lái)了幾十歐姆的感抗。

　　17、在高速系統(tǒng)電路中，對(duì)于一個(gè)特定的電流返回路徑，由于傳輸線所受的瞬時(shí)阻抗的大小不同的原因，其實(shí)此時(shí)電感要遠(yuǎn)比電阻重要。

　　18、我們應(yīng)該明確的是，在一般情況下，電路中的電容器本身并沒(méi)有消耗多少功率，它所做的功只是無(wú)功功率，電容器在一個(gè)周期內(nèi)消耗的平均功率幾乎為零(因?yàn)殡娙萜骺赡艽嬖贓SR)，其實(shí)大部分的能量都被消耗在加熱驅(qū)動(dòng)電路上了。

　　19、 在設(shè)計(jì)推拉式輸出電路時(shí)，要注意避免兩個(gè)晶體管同時(shí)導(dǎo)通，否則的話將產(chǎn)生一個(gè)從VCC到地的浪涌電流，這時(shí)所消耗的功率將會(huì)以熱量的形式消耗在晶體管上了，嚴(yán)重的話，會(huì)損壞晶體管。

　　20、數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，過(guò)快的上升時(shí)間是分別通過(guò)兩種“約定俗成”的方式來(lái)引發(fā)問(wèn)題的：du(t)/dt和di(t)/dt。由此我們可以推斷出：要是電流變化速率越高的話，出現(xiàn)的電感耦合問(wèn)題自然會(huì)更加嚴(yán)重。

　　21、在高頻率應(yīng)用時(shí)，通常應(yīng)該選用N-溝道型FET，這是因?yàn)樗闹饕d流子是電子，半導(dǎo)體理論告訴我們，電子比空穴具有更好的移動(dòng)性，說(shuō)白了就是它能夠更好地適用于高頻率而很少出現(xiàn)不良的“效應(yīng)”。

　　22、高頻率領(lǐng)域時(shí)，任何形式的阻抗突變都會(huì)引起電壓信號(hào)的反射與失真，這自然會(huì)使得信號(hào)質(zhì)量出現(xiàn)問(wèn)題，由此可知，我們得好好把握匹配阻抗的問(wèn)題了。

　　23、我們應(yīng)該重點(diǎn)把握數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計(jì)的四個(gè)核心問(wèn)題：功率、噪聲、信號(hào)傳輸和時(shí)序!