非易失性光存儲器，利用相變材料實現(xiàn)

　　由英國和德國大學及研究所的研究人員組成的研究小組開發(fā)出了可用光線寫入信息并用光線讀取信息的光存儲芯片。材料采用了電存儲器也使用的相變存儲材料，此次首次實現(xiàn)了非易失性光存儲器。

　　預計隨著存儲器的光化，將來存儲器的密度將不斷提高，耗電量和訪問時間將大幅減少。介紹技術(shù)詳情的論文已發(fā)表在學術(shù)雜志《自然光子學》(Nature Photonics)上。

　　開發(fā)出這款光存儲芯片的是英國牛津大學、德國卡爾斯魯厄理工學院(KIT)、德國明斯特大學(University of Muenster)、英國?？巳卮髮W(Exeter University)的研究者們。

　　使用的相變材料是相變存儲器一般使用的Ge2Sb2Te5 (GST)。信息記錄采用的原理是通過GST在結(jié)晶狀態(tài)與非晶狀態(tài)之間變化，或在非晶狀態(tài)之間變化時，光的透過性會隨之發(fā)生變化。另外，電相變存儲器則是利用隨著結(jié)晶/非晶狀態(tài)的不同，電阻值發(fā)生變化的特點來記錄信息的。

　　信息擦寫時，通過向GST照射能量高但波長非常短的光脈沖來實現(xiàn)結(jié)晶與非晶狀態(tài)。而讀入時，采用能量較弱的光脈沖，來讀取GST的狀態(tài)。此次開發(fā)的芯片實現(xiàn)了利用尺寸大約為1ns的一個元件便可記錄3bit、8值狀態(tài)的多值化。擦寫時的切換頻率大約為1GHz。