Intel揮軍存儲器為自保、產(chǎn)量不致打亂市場供需？

　　英特爾(Intel)進(jìn)攻存儲器，將斥資改造大連廠，外界對此議論紛紛，擔(dān)心美光將受威脅，NAND flash恐會供過于求，不過有分析師認(rèn)為，英特爾此舉是是為了自保，產(chǎn)量不會大到?jīng)_擊市場。

　　巴倫(Barronˋs)財(cái)經(jīng)網(wǎng)站23日報(bào)導(dǎo)，富國銀行(Wells Fargo)分析師David Wong表示，英特爾和美光(Micron)合力發(fā)展的新存儲器技術(shù)“3D Xpoint”將是大連廠的生產(chǎn)重心，英特爾可從中獲利，但不會成為NAND flash的主要生產(chǎn)商，預(yù)料存儲器僅占該公司整體營收的一小部分。英特爾的存儲器產(chǎn)量不會多到打亂NAND市場的供需平衡。

　　里昂證券(CLSA)的Mark Heller認(rèn)為，英特爾投資大連廠是為了自保，理由之一合資廠利潤太低。英特爾和美光的合資企業(yè)--IM Flash，英特爾能以成本價(jià)取得49%產(chǎn)出，但是目前此一工廠只生產(chǎn)2D NAND，并開始試產(chǎn)Xpoint，3D NAND則全數(shù)在美光的新加坡廠制造，意味英特爾想買3D NAND須以高于成本價(jià)購買，這會推高英特爾成本，該公司或許因此決定自行生產(chǎn)。

　　Heller舉出的第二個(gè)理由是，英特爾擔(dān)心美光移情別戀，另尋合作伙伴。美光擁有IM Flash的買權(quán)(call option)，能要求英特爾以帳面價(jià)格回售合資企業(yè)給美光，英特爾可能想自建3D NAND/Xpoint工廠，避免此一風(fēng)險(xiǎn)。第三個(gè)理由是3D NAND和Xpoint技術(shù)似乎多為美光所有。

　　彭博社先前報(bào)導(dǎo)，半導(dǎo)體業(yè)龍頭英特爾丟震撼彈，20日宣布將砸重金把位在中國大連的廠房改造成最頂尖的存儲器晶片廠。英特爾以處理器聞名，最早卻以生產(chǎn)存儲器起家，這次可算是重操舊業(yè)。大連工廠2010年開始營運(yùn)，產(chǎn)線改頭換面完成后將在2016下半年投產(chǎn)。英特爾前三至五年計(jì)劃投資35億美元，之后還可能再追加至55億美元。

　　BusinessKorea 8月7日報(bào)導(dǎo)，英特爾、美光7月29日宣布開發(fā)出新世代存儲器技術(shù)“3D Xpoint”，儲存的資料比DRAM高出十倍，讀寫速度與耐受度更是NAND型快閃存儲器的1千倍之多，如此革新的技術(shù)讓三星電子、SK Hynix大為緊張。