三星半導(dǎo)體資本支出超英特爾臺積電

　　三星半導(dǎo)體資本支出不畏市況低迷，維持原訂15兆韓元(約131億美元、約新臺幣4，192億元)高檔，年增近14%。相較英特爾、臺積電數(shù)次調(diào)降今年資本支出，三星半導(dǎo)體資本支出金額不僅在三強中居冠，更是三強唯一未砍資本支出并較去年成長的業(yè)者，威脅臺積電、華亞科等臺廠。

　　三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)分為存儲器制造與晶圓代工兩大區(qū)塊，以存儲器制造為最大宗。三星今年資本支出維持高檔，市場預(yù)期對存儲器業(yè)沖擊最大;晶圓代工方面，三星目前仍不及臺積電，但已在市場與臺積電搶客戶。

　　三星居全球DRAM龍頭，市占逾45%，具有“喊水會結(jié)凍”的能耐。先前曾傳出三星因整體營運陷入低潮，加上市場供過于求，有意暫緩DRAM擴產(chǎn)，讓同業(yè)一度大大松一口氣。

　　法人指出，三星未下修今年資本支出，對存儲器業(yè)沖擊最大，主因這意味三星DRAM擴產(chǎn)進(jìn)度并未停歇。雖然今年已接近尾聲，但三星維持半導(dǎo)體高資本支出，將成為明年市場供需一大變數(shù)。

　　尤其三星今年的投資，將成為后續(xù)新產(chǎn)能與供應(yīng)量，市場供過于求壓力更大，華亞科、南亞科等業(yè)者必須謹(jǐn)慎因應(yīng)。DRAM業(yè)普遍對短期展望保守，華亞科認(rèn)為，供過于求狀況仍在，盡管市場存貨持續(xù)消化中，本季價格仍面臨下跌壓力。

　　據(jù)了解，三星維持高資本支出，主要因應(yīng)今年5月在南韓平澤動土的新廠資金需求，該廠區(qū)斥資154億美元，是三星未來存儲器與晶圓代工新產(chǎn)能最重要的來源。