半導體進入微縮時代　成本依舊是決定性關鍵

　　據SemiconductorEngineering網站報導，微縮成本不斷增加為全球供應鏈注入一股不確定性。資源不虞匱乏的大廠，預期會持續(xù)進展至少到7納米。

　　之后是否往以更細微制程邁進，則須視EUV、多重電子束(Multi-e-beam)等微影技術與定向自組裝技術(Directedself-assembly)、量子效應、新材料與新電晶體架構發(fā)展而定。

　　目前傾向持續(xù)推進微縮市場的廠商認為，應不會有10納米出現，而且由于市場大多擔心芯片廠預備新節(jié)點耗時過久，因此略過例如20納米等半節(jié)點，該情形甚至也會出現在10納米。

　　Arteris執(zhí)行長CharlieJanac表示，10納米進展過快，導致廠商擔心無法回收成本，而且市場對5納米也持觀望態(tài)度，因為其投資成本將相當可觀。因此，7納米會維持一段時間，包括GlobalFoundries副總SubramaniKengeri也認為，下一世代為7納米并會持續(xù)一段時間。

　　為服務器、GPU、手機與現場可程式化閘陣列(FPGA)設計芯片的廠商，過往都會積極推廣最先進制程，但其余芯片廠則不再跟隨，反而偏好采用包括平面式完全空乏型絕緣層覆矽(PlanarFD-SOI)、2.5D與扇出型(fan-out)及3D整合等技術。

　　eSilicon副總MikeGianfagna指出，屆時技術將出現重疊，雖然2.5D出現讓技術選項增多，但其良率仍是不確定性因素。

　　目前讓業(yè)者愿意投入研發(fā)的新動機也未成形，手機雖會繼續(xù)帶動系統(tǒng)單芯片(SoC)市場成長，但其成長率已放緩，一旦市場成熟，將讓產品出現定價壓力。益華電腦(Cadence)行銷主管指出，成本還是最主要考量，而且業(yè)界已開始思考從降低電子產品成本著手，特別是降低芯片成本。

　　傳統(tǒng)上，每一代新制程問世后，市場都必須能出現大量采用才能讓晶圓廠繼續(xù)投資新制程，但28納米后，由于各家制程皆不同，代表工具、IP與設備都需客制化。一旦進入16/14納米后，不確定性因素還包括EUV與電子束微影是否問世等，因此更讓廠商不愿投資在半制程上。

　　另一方面，隨著技術選項增多，廠商也不再一味朝新制程邁進。例如三星電子(SamsungElectronics)、意法半導體(STMicroelectronics)、法國電子資訊技術實驗室CEA-Leti與GlobalFoundries都支持FD-SOI技術。

　　評論認為，FD-SOI在16/14納米以后是否仍具競爭力仍有疑問，因為屆時微影技術為何是關鍵，至于GlobalFoundries則傾向10納米平面FD-SOI，希望省略雙重曝光及FinFET需要。

　　但eSilicon則持保守態(tài)度，指出FD-SOI出貨量多寡與藍圖FD-SOI尚未明朗，即使市場有許多選項是好事，但目前FD-SOI并未取代FinFET。不過，市場也有其他避險策略，例如采用2.5D與扇出型(fan-out)，其中臺積電推出InFo已穩(wěn)定獲得采用。

　　另外，海思(Hisilicon)、日月光與邁威爾(Marvell)已開發(fā)商用實作2.5D芯片，華為、IBM與超微(AMD)則負責銷售。因此，Arteris認為，市場最終將走向3D，讓封裝廠地位更為重要。

　　即便如此，業(yè)者認為一旦問題獲得解決后，成本會開始下降，GlobalFoundries便認為，2.5D可應用市場有3種，包括將大晶粒細分為小部位來提高良率、設法將封裝內芯片或模組功能最大化以及將芯片細分成為獨立部位并由中介層連接，目前邁威爾、日月光與Tezzaron則采用第二種技術。

　　評論指出，不管是環(huán)繞式閘極FET、納米線場效電晶體、2.5D、full3D-IC、積層型三維積體電路(Monolithic3D-IC)或扇出等不同技術，主要晶圓廠都已預備好準備采用，包括三星與GlobalFoundries采用FD-SOI，封測廠則瞄準最先進封測技術。

　　隨著廠商不斷研究精進，屆時市場自然會出現新一代技術，業(yè)者認為何者能降低成本，是決定能否勝出的關鍵因素。