Bulk Si技術近極限,功率半導體大廠加速投入GaN、SiC開發(fā)
DIGITIMES Research觀察,傳統(tǒng)以塊體矽(Bulk Si)材料為基礎的功率半導體逐漸難提升其技術表現(xiàn),業(yè)界逐漸改以新材料尋求突破,其中氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)材料技術最受矚目,氮化鎵具有更高的切換頻率,碳化矽則能承受更高溫、更大電流與電壓,而原有的矽材仍有成本優(yōu)勢,預計未來功率半導體市場將三分天下。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/283167.htm更高的耐受溫度、電壓,或更高的切換頻率、運作頻率,分別適用在不同的應用,對于電動車、油電混合車、電氣化鐵路而言需要更高電壓,對于新一代的行動通訊基地臺,或資料中心機房設備而言,則需要更高的切換頻率。
氮化鎵、碳化矽技術表現(xiàn)雖佳,但現(xiàn)階段發(fā)展上有其挑戰(zhàn),包含過高的成本、技術表現(xiàn)可靠度不足、可供貨業(yè)者有限,以及缺乏配套的封裝整合技術等,不過業(yè)界正逐一尋求突破。
業(yè)界為了加速發(fā)展新材料功率半導體已進行多項商業(yè)布局,包含投資新創(chuàng)業(yè)者、發(fā)動購并、事業(yè)體分拆、技術合作等。期許讓功率半導體獲得新應用話題、新成長動能。
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