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          交流高壓發(fā)生電路

          作者:郭莉鈺 吳偉賓 時(shí)間:2015-12-09 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏
          編者按:分析部分高壓電路的原理,指出高壓不同電路的優(yōu)缺點(diǎn),提出一種交流高壓發(fā)生電路,應(yīng)用于電擊穿產(chǎn)生臭氧的空氣凈化器中,提升空氣凈化器性能,降低成本。

          摘要:分析部分的原理,指出高壓不同電路的優(yōu)缺點(diǎn),提出一種交流高壓發(fā)生電路,應(yīng)用于電擊穿產(chǎn)生臭氧的空氣凈化器中,提升空氣凈化器性能,降低成本。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/283525.htm

          引言

            空氣污染以及空氣中產(chǎn)生大量細(xì)菌,流感、SARS病毒、MERS病毒等,嚴(yán)重威脅著人們的身體健康,影響人們的日常生活。臭氧,具備強(qiáng)氧化特性,可破壞微生物細(xì)胞膜的結(jié)構(gòu),一方面會(huì)對(duì)人體產(chǎn)生影響;一方面可直接作用于細(xì)菌內(nèi)部,從而達(dá)到快整殺菌效果。其殺菌效果相比其它方式效果更為之明顯,故臭氧在水處理及空氣凈化方面被大量應(yīng)用。臭氧的產(chǎn)生一般通過空氣電離的方式,使空氣中的氧分子分裂,再重新組合形成,空氣電離則需要在空氣中的氧分子中出現(xiàn)電擊穿效應(yīng)來產(chǎn)生,通常在臭氧陶瓷片兩端施加一定的交流高壓可使出現(xiàn)電暈的情況,從而在臭氧陶瓷片兩面可產(chǎn)生大量的臭氧,高壓發(fā)生電路是臭氧清新機(jī)的核心部件,控制著臭氧清新機(jī)的性能。本文通過分析高壓產(chǎn)生的原理,提出一種交流高壓發(fā)生電路,以應(yīng)用于臭氧機(jī)中,提升臭氧的發(fā)生量,減少電路熱損耗。

          1 一般高壓發(fā)生電路分析

            一般而言,在臭氧陶瓷片兩面施加幾千伏的交流電壓可出現(xiàn)電暈情形,從而在臭氧陶瓷片兩端的空氣形成臭氧,目前市場上的高壓發(fā)生電路主要有以下兩種實(shí)現(xiàn)方式。

          1.1 線性變壓器升壓方式

            通過線性升壓變壓器直接磁耦合方式產(chǎn)生高壓,電路簡單、可靠性高,但這個(gè)方式由于電源供電電壓為50Hz或60Hz,頻率較低、磁耦合效果不好,臭氧陶瓷片的電容效應(yīng)會(huì)降低電暈強(qiáng)度,升壓變壓器本身無功功率較高,隨著臭氧需求量增大,輸出功率需加大,線性變壓器體積增大明顯,成本較高。一般應(yīng)用于需求小劑量臭氧的場合中。


          1.2 高頻振蕩升壓方式

            隨著臭氧需求量的增加,線性變壓器升壓的方式弊端明顯,而通過高頻方式,增強(qiáng)升壓變壓器的磁耦合,升壓變壓器體積可明顯減少,有利于成本控制及產(chǎn)品的小型化設(shè)計(jì),且由于臭氧陶瓷片本身的電容效應(yīng),在高頻的作用下,容性阻抗下降,電暈效果增強(qiáng),臭氧發(fā)生量得到提升。故此種方式一般用于臭氧量需求較大的場合。而高頻振蕩方式又分為兩種:一種為自身電路產(chǎn)生振蕩方式產(chǎn)生高壓,高頻升壓變壓器充當(dāng)升壓作用;一種利用臭氧陶瓷片電容效應(yīng),通過高頻升壓變壓器與臭氧陶瓷片諧振的方式產(chǎn)生高壓,高頻升壓變壓器充當(dāng)升壓及諧振電感作用。后一種方式電路簡單、成本較低,但通過長期的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,當(dāng)臭氧陶瓷片容量發(fā)生變化,或受潮的情況下,容易出現(xiàn)無法諧振且無法產(chǎn)生足夠高壓的情況,在實(shí)際使用過程中受環(huán)境及臭氧陶瓷片一致性影響較大。

            通過分析,本文提出一種基于高頻振蕩方式,并采取自身頻率控制的方式來產(chǎn)生交流高壓的電路,通過單片機(jī)控制頻率及占空比,從而實(shí)現(xiàn)不同的高壓輸出,控制臭氧的發(fā)生量。

          2 交流原理

            借用反激式開關(guān)電源原理,使開關(guān)MOS管在低電平位置導(dǎo)通降低MOS開通時(shí)的沖擊電流,減少電路本身功耗,通過導(dǎo)通形成振蕩電流,控制導(dǎo)通電平時(shí)間,從而達(dá)到控制高頻升壓變壓器高壓輸出的目的。其高壓原理圖如圖1所示,開關(guān)頻率選擇在40KHz—50KHz,電路需采用到快速光耦如IR4427芯片,其開通、關(guān)斷延遲在200ns以內(nèi),MOS管采取PSMN7R0-100PS,VDS=100V,ID=100A,其開通、關(guān)斷延遲在200ns以內(nèi)。快速二極管D4、電阻R9、電容C4組成RCD吸收電路,用于吸收MOS開通、關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的干擾信號(hào)。高頻升壓變壓器采取ETD34骨架,初級(jí)線圈圈數(shù)3TS 直徑股數(shù)0.5mm*4P,次級(jí)線圈350TS 直徑股數(shù) 0.25*1P,漏感控制在3.0mH以下。初級(jí)線圈與次級(jí)線圈耐壓達(dá)到5KVAC以上。

            正常負(fù)載條件下,高頻升壓變壓器初級(jí)電壓波形及驅(qū)動(dòng)電壓脈沖如圖2所示,MOS管導(dǎo)通時(shí)段MOS管漏極處于低電壓狀態(tài)。以避免沖擊電流導(dǎo)致MOS管的損壞。

            在正常負(fù)載情況下,高壓輸出的電壓波形如圖3所示,從波形看,輸出接近交流正弦波。

          3 負(fù)載檢測原理

            由于控制負(fù)載的不同,高頻升壓變壓器能量轉(zhuǎn)化存在差異,根據(jù)反激式原理,高頻變壓器次級(jí)在負(fù)載較輕時(shí),反饋至高頻變壓器初級(jí)的電壓及頻率會(huì)發(fā)生變化,體現(xiàn)在電壓幅值加大,頻率加大。由于開關(guān)頻率較大,通過檢測幅度變化的值需要快速電路進(jìn)行檢測,對(duì)于元器件及單片機(jī)處理要求較高,故本文選擇通過檢測初級(jí)端的頻率變化來區(qū)分次級(jí)空載與帶載時(shí)頻率變化差別,將初級(jí)頻率變化信號(hào)通過降壓方式反饋給單片機(jī)外部中端,單片機(jī)對(duì)外部脈沖信號(hào)進(jìn)行檢測,統(tǒng)計(jì)一段時(shí)間內(nèi)的脈沖個(gè)數(shù),從而判斷頻率的變化,其輕載檢測原理如圖4所示。二極管D201需采取快速恢復(fù)二極管,如MUR120,其作用為將信號(hào)反饋至單片機(jī)電壓限定在5V,避免高電壓對(duì)單片機(jī)I/O口的損傷。

            在負(fù)載斷路的情況下,高頻升壓變壓器初級(jí)電壓波形及驅(qū)動(dòng)脈沖的波形如圖5所示,可明顯看到升壓變壓器初級(jí)電壓頻率及幅值已發(fā)生變化,幅值加大,同時(shí)頻率也加大,同時(shí)在MOS管導(dǎo)通時(shí)段,MOS管漏極電壓不處于低電壓,在MOS管導(dǎo)通時(shí)存在瞬間沖擊電流,如長期運(yùn)行將使MOS發(fā)熱量加大,最終導(dǎo)致MOS管出現(xiàn)損壞。

            在高壓變壓器次級(jí)負(fù)載較重時(shí),高頻變壓器初級(jí)的電壓減小,頻率減小,而由于電路采樣點(diǎn)的頻率與產(chǎn)生的脈沖同頻,在檢測時(shí)為固定值,無法直接判斷頻率的變化,通過在高壓變壓器后端增加電壓信號(hào)采樣的方式,將電壓信號(hào)反饋給單片機(jī)的AD采樣口,當(dāng)負(fù)載較輕時(shí),電壓較高;當(dāng)負(fù)載較重或者短路時(shí),輸出電壓較低;通過判斷輸出電壓的變化,可區(qū)分負(fù)載較重或者短路的情況。

            通過對(duì)電路輕載及重載兩種情況進(jìn)行判斷檢測,控制電路的開通時(shí)間及關(guān)斷時(shí)間,使開關(guān)MOS管工作在低電平導(dǎo)通工作狀態(tài),避免MOS開通時(shí)的沖擊電流,降低MOS管的熱損耗,保證電路的可靠運(yùn)行。



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          關(guān)鍵詞: 高壓電路 升壓電路 201512

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