圖像識(shí)別在四探針測試技術(shù)中的應(yīng)用
關(guān)鍵詞: 斜置式方形探針;圖像識(shí)別;步進(jìn)電機(jī)
引言
四探針技術(shù)是半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中采用的最為廣泛的工藝監(jiān)控手段之一,隨著對(duì)基片微區(qū)性能要求的提高,需要四探針技術(shù)提供更加微細(xì)可靠的基片性能描述。也就是說要求測試區(qū)域越來越小,測試點(diǎn)越來越多。在這種情況下,普通直線四探針的測試分辨率(3mm范圍以上)已經(jīng)不能滿足測試需要,斜置式方形四探針可以提供0.5mm左右的測試分辨率,但對(duì)于如此小的測試區(qū)域,以及成百上千的測試點(diǎn),用人工判斷測試結(jié)構(gòu)的幾何精確性,記錄測試結(jié)果是不現(xiàn)實(shí)的,因此我們將圖像識(shí)別引用到了四探針測試技術(shù)中來解決以上問題。
圖1 方形探針測試結(jié)構(gòu)
圖 2 游移后的探針測試圖
圖3 基片圖像直方圖
圖4加載探針后的基片直方圖
圖5 粗調(diào)后的探針圖像
圖 6 探針定位圖
測試結(jié)構(gòu)對(duì)測試結(jié)果的影響
Rymaszewski[1]對(duì)直線四探針測量無窮大樣品提出下列公式:
exp(-2pV1/IRs)+exp(-2pV2/IRs)=1 (1)
由式(1)得:
RS= (2)
對(duì)于方形四探針,當(dāng)其呈嚴(yán)格正方形時(shí),如圖1所示。根據(jù)物理基礎(chǔ)和電學(xué)原理可知:
V34=f3-f4=ln (2)
V41=f4-f1=ln (2)
所以有
exp()+exp()=1
所以當(dāng)探針呈正方形結(jié)構(gòu)時(shí),我們可應(yīng)用公式(2)來計(jì)算被測樣品的方塊電阻。
但是當(dāng)正方形測試結(jié)構(gòu)發(fā)生形變,不能構(gòu)成嚴(yán)格正方形時(shí)(如圖2所示),此時(shí),由物理基礎(chǔ)和電學(xué)原理求得的結(jié)果為:
exp()+ exp()=
也就是說,式(1)和式(2)在非方形探針情況下不再成立。計(jì)算表明,設(shè)a=1,則x1、x2、x3、x4以及y1、y2、y3、y4分別等于
評(píng)論