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          NS推出兩款超小型的門極驅(qū)動(dòng)器

          作者: 時(shí)間:2004-09-22 來(lái)源: 收藏

          美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司 (National Semiconductor Corporation) 推出兩款屬于高壓功率控制集成電路系列的最新產(chǎn)品,為直流/直流電源供應(yīng)系統(tǒng)提供兩個(gè)高效率的功率轉(zhuǎn)換解決方案。型號(hào)為 LM5111 的雙通道門極驅(qū)動(dòng)器及型號(hào)為 LM5112 的單通道門極驅(qū)動(dòng)器都采用業(yè)內(nèi)最小巧的封裝,而且設(shè)計(jì)非常靈活,因此是驅(qū)動(dòng)大型功率金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 的理想驅(qū)動(dòng)器,最適用于交流/直流與直流/直流轉(zhuǎn)換器、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)及工業(yè)控制系統(tǒng)。

          LM5111/12 (Click for Larger Image)

          采用小型 LLP-6 封裝 (3 mm x 3 mm) LM5112 芯片可與美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體的 LM5000 系列脈沖寬度調(diào)制控制器及 LM510x 系列半橋式驅(qū)動(dòng)器組合,成為設(shè)計(jì)高性能直流/直流轉(zhuǎn)換器的理想芯片組。

           

          美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體電源管理產(chǎn)品部市場(chǎng)營(yíng)銷總監(jiān) Paul Greenland 表示:美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體的電源管理芯片產(chǎn)品一直享譽(yù)業(yè)界,其特點(diǎn)是采用外型小巧、具有高度散熱能力的封裝。LM5111 LM5112 這兩款驅(qū)動(dòng)器的推出顯示美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體秉承這個(gè)優(yōu)良傳統(tǒng),繼續(xù)為系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師提供極具靈活性的電源管理技術(shù),確保體積小巧的高效率功率轉(zhuǎn)換器可以充分發(fā)揮其性能。以 LM5112 為例來(lái)說,這款芯片雖然采用業(yè)內(nèi)最小、散熱能力更高的封裝,但仍可輸出強(qiáng)大的 7A 峰值門極驅(qū)動(dòng)電流。這款芯片可與美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體任何一款脈沖寬度調(diào)制控制器組合成為全新的芯片組,為功率轉(zhuǎn)換器提供一個(gè)高速而完善的初級(jí)或次級(jí)電源解決方案。

           

          LM5112 芯片能以極高的速度操作,延遲時(shí)間也極短,而且可以輸出極高的峰值電流。這款芯片采用美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體的高壓模擬Bi CMOS-DMOS (ABCD) 技術(shù)制造,其復(fù)合式輸出驅(qū)動(dòng)級(jí)內(nèi)含金屬氧化半導(dǎo)體 (MOS) 及雙極晶體管,而且兩者可以并行操作。由于 LM5112 芯片采用這樣獨(dú)特的組合,因此可以從電容負(fù)載超過 7A 的峰值電流,并且以高達(dá) 1MHz 的頻率驅(qū)動(dòng)較大的功率 MOSFET。如此獨(dú)特的復(fù)合式驅(qū)動(dòng)級(jí)有一個(gè)很重要的優(yōu)點(diǎn),那就是操作時(shí)性能更為可靠,因?yàn)榧词构╇婋妷杭皽囟瘸霈F(xiàn)波動(dòng),復(fù)合式驅(qū)動(dòng)級(jí)可以減低這些波動(dòng)所產(chǎn)生的影響,有助保持驅(qū)動(dòng)電流的穩(wěn)定性。

           

          LM5112 芯片也為輸入及輸出級(jí)提供獨(dú)立的接地及參考電壓管腳,以便支持采用分開供電設(shè)計(jì)的門極驅(qū)動(dòng)配置。這款芯片設(shè)有雙邏輯電路接口,可以接收反相或非反相的信號(hào),由于其接口具有這樣的靈活性,因此這款芯片可與市場(chǎng)上絕大部分控制器及微處理器相匹配。

           

          LM5111 芯片設(shè)有兩個(gè)可輸出足 5A 峰值電流的驅(qū)動(dòng)器,而且由于采用 SOIC-8 封裝,因此可以直接取替許多舊式的 CMOS 門極驅(qū)動(dòng)解決方案。 LM5111 芯片的峰值輸出電流高達(dá) 5A,比上一代的技術(shù)只能輸出 2A 峰值電流優(yōu)勝,而且效率也比上一代技術(shù)高。雖然 LM5111 是雙通道的芯片而 LM5112 則是單通道的芯片,但兩者都采用同一的先進(jìn)復(fù)合式驅(qū)動(dòng)技術(shù)及負(fù)極輸出門極驅(qū)動(dòng)技術(shù)。在正常操作情況下,LM5111 的兩條 5A 峰值電流驅(qū)動(dòng)通道均各自獨(dú)立,但若有需要,這兩條通道可與輸入及輸出端并行連接,將峰值輸出驅(qū)動(dòng)電流提高一倍至 10A,以便能夠以極高的效率及高達(dá) 1MHz 的速度驅(qū)動(dòng)極大的功率 MOSFET。LM5111 芯片分別有三種不同的型號(hào)可供選擇,這三個(gè)型號(hào)都可各自接收三種不同的輸入信號(hào)。換言之,廠商客戶可以選擇非反相信號(hào)通道、反相信號(hào)通道或兩種信號(hào)都可同樣接收的通道。



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