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          飛兆半導(dǎo)體μSerDes串化器/解串器技術(shù)達(dá)到最低耗電量

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          作者: 時(shí)間:2007-02-27 來源: 收藏
            針對小型顯示器和圖像傳感器之串化器/解串器領(lǐng)先廠商公司 (Fairchild Semiconductor) 在其μSerDes 技術(shù)的創(chuàng)新發(fā)展中取得重要里程碑,宣布推出第二代FIN324C μSerDes-uLP  (超低功耗) 系列器件,具有業(yè)界最低的耗電量 (~4mA @ 5.44MHz),無需外部時(shí)序參考器件,并支持雙顯示功能;這可以協(xié)助設(shè)計(jì)人員在最新的手機(jī)、MP3播放器和其它小型顯示器應(yīng)用中,節(jié)省電池能量、提高設(shè)計(jì)靈活性和減少部件數(shù)目。全新的FIN324C采用超小型BGA 和 MLP封裝,適用于空間受限的應(yīng)用。

            μSerDes設(shè)計(jì)組的技術(shù)成員之一Michael Fowler表示:“與主要的手機(jī)制造商合作,設(shè)計(jì)出這種新型的超低功耗 µSerDes 器件,能滿足其特定的應(yīng)用要求,包括針對日益纖薄緊湊的應(yīng)用而優(yōu)化能耗及減低噪聲。業(yè)界領(lǐng)先的  
          第一代μSerDes產(chǎn)品在三年前推出時(shí)曾震撼整個(gè)市場,如今FIN324C的出現(xiàn)則代表了這項(xiàng)技術(shù)的重大躍進(jìn)。”

            Fowler 續(xù)稱:“除了降低耗電量達(dá)65% 外,第二代器件還具有高度靈活性,能夠支持最新兼具外部和內(nèi)部顯示屏的翻蓋式手機(jī)設(shè)計(jì)。FIN324C是設(shè)計(jì)人員的又一利器,保留了與前代產(chǎn)品相同的業(yè)界最小型封裝以及穩(wěn)健的I/O特性,而且更易于實(shí)現(xiàn)更小巧的設(shè)計(jì)。目前,大多數(shù)頂尖的手機(jī)制造商已紛紛在自己的產(chǎn)品中采用µSerDes器件,這正是飛兆半導(dǎo)體設(shè)計(jì)成功的明證。”

            第二代 µSerDes 的主要強(qiáng)化性能包括:

          無需內(nèi)部鎖相環(huán) (PLL),因此能大幅度降低耗電量并無需外部時(shí)鐘; 
          具雙接口能力 (R/W 微控制器、像素和/或 SPI),可提高設(shè)計(jì)靈活性; 
          適合于RF環(huán)境的穩(wěn)健I/O解決方案,并實(shí)現(xiàn)低EMI;以及 
          很寬的LVCMOS電源電壓范圍 (1.60V-3.0V),具有適于多種應(yīng)用的靈活性。
            飛兆半導(dǎo)體的 µSerDes 產(chǎn)品以其專利的CTL™ I/O 技術(shù)為基礎(chǔ),將超便攜式手機(jī)一般所需的24或12個(gè)LVCMOS信號縮減為高速差分串行信號,從而把線纜數(shù)減少到6:1。飛兆半導(dǎo)體真正獨(dú)特的方案大大地減少了通常用來傳輸數(shù)據(jù)的昂貴柔性電纜的數(shù)量,因此能減少部件數(shù)目并簡化設(shè)計(jì)。FIN324C還具有15kV的高ESD保護(hù)功能和業(yè)界最低的EMI水平 (-110dBm),使噪聲大為減少及可靠性得以提高。

            除了第二代FIN324C外,飛兆半導(dǎo)體的 µSerDes 系列還包括適用于各種特定便攜式技術(shù)的廣泛的精選器件,包括12位和24位的優(yōu)化圖像傳感器和LCD。要了解有關(guān)全線 µSerDes產(chǎn)品組合的更多信息,請?jiān)L問網(wǎng)頁http://www.fairchildsemi.com/userdes。

            FIN324C是無鉛產(chǎn)品,能達(dá)到或甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C標(biāo)準(zhǔn)要求,并符合現(xiàn)已生效的歐盟標(biāo)準(zhǔn)。



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