安森美半導(dǎo)體推出業(yè)內(nèi)首個(gè)250伏硅肖特基器件

最新的 200-250V肖特基性能勝過傳統(tǒng)的超高速整流器，可以在任何溫度下消除噪聲，
把需要的EMI濾波器減到最少，提高電路效率，并提供優(yōu)異的反向恢復(fù)能力和高穩(wěn)定性。

2004年11月22日——全球領(lǐng)先的一家功率分立元件供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體（美國納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN）推出了業(yè)內(nèi)首個(gè)250伏 (V) 肖特基整流器，應(yīng)用于等離子/LCD電視、電源、消費(fèi)類和汽車電子，把原有的肖特基勢壘電壓超越至200V 以上。公司為了進(jìn)一步擴(kuò)展其高壓肖特基產(chǎn)品系列，還推出了兩款全新的200V SMC封裝肖特基整流器。

安森美半導(dǎo)體新推出的200V和250V肖特基的無噪聲運(yùn)行和快速恢復(fù)時(shí)間特性，在反向恢復(fù)時(shí)間、正向電壓和軟度方面均優(yōu)于超高速整流器。因此新款的高壓肖特基器件能簡化系統(tǒng)的設(shè)計(jì)，為日益增長的200-250V應(yīng)用，如等離子電視驅(qū)動(dòng)電路、汽車車體電子裝置和計(jì)算機(jī)電源等，提供了更高性價(jià)比的解決方案。

安森美半導(dǎo)體功率分立器件產(chǎn)品總監(jiān)Keith Nootbaar說：“自90年代初首次將肖特基勢壘電壓提升至200V以來，安森美半導(dǎo)體一直在高壓肖特基硅器件領(lǐng)先。當(dāng)我們的競爭對手還剛開始開發(fā)200V肖特基時(shí)，安森美半導(dǎo)體又在業(yè)內(nèi)樹立起新的250V里程碑，并計(jì)劃在將來不斷地提升我們的技術(shù)?！?/p>

高壓肖特基整流器與超高速整流器的比較
傳統(tǒng)上，超高速整流器應(yīng)用于能量恢復(fù)、反擊浪涌以及輸出整流上，在這些應(yīng)用中反向電壓可超過200V。一個(gè)最典型的應(yīng)用例子是等離子電視屏幕的能量恢復(fù)電路。在此應(yīng)用中，開關(guān)頻率一般在250kHz左右，而峰－峰值電壓超過180V。這就要求整流器具有低的正向壓降和盡可能出色的開關(guān)性能。能量恢復(fù)整流器應(yīng)該具有250V左右的最小擊穿電壓(以供降額使用和承受脈沖尖峰)。此項(xiàng)應(yīng)用通常使用超高速整流器，然而安森美半導(dǎo)體采用先進(jìn)的硅肖特基技術(shù)，開發(fā)出了更佳的方案。

Nootbaar說：“以往250V擊穿電壓在商用的硅肖特基整流器的性能范圍之外，設(shè)計(jì)者的選擇只有標(biāo)準(zhǔn)超高速、軟恢復(fù)超高速或昂貴的碳化硅整流器。安森美半導(dǎo)體采用了先進(jìn)的硅肖特基技術(shù)，成功地取得更低的正向電壓(Vf < 1.0)，解決了200-250 kHz頻段中的開關(guān)損耗和電磁干擾(EMI)問題。”

安森美半導(dǎo)體推出了下列新器件，擴(kuò)展了200V及以上的整流器產(chǎn)品系列：
-MBR40250：40 A, 250V肖特基整流器，T0-220封裝及裸片。
-MBRS4201：4 A, 200V肖特基整流器，SMC封裝。
-MBRS3201：3 A, 200V肖特基整流器，SMC封裝。

此等新款高壓肖特基器件能消除超高速整流器在任何溫度下都存在的反向恢復(fù)振蕩現(xiàn)象。由于振蕩（噪聲）是導(dǎo)致EMI的主要原因，全新的250V肖特基技術(shù)可省去EMI濾波，也就節(jié)省了EMI濾波的成本。與之相比較，在高溫下使用超高速整流器會(huì)出現(xiàn)較大的反向恢復(fù)振蕩，因而增大了EMI，并相應(yīng)增加了整個(gè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)中用于濾波的成本。

這些200V和250V的肖特基器件的軟度因子(tb/ta) 也大大優(yōu)于超高速整流器。與具有類似電壓的超高速整流器相比，肖特基器件在高溫下優(yōu)異的反向恢復(fù)時(shí)間(tRR)特性以及穩(wěn)定性可以減少開關(guān)損耗，從而提高整個(gè)電路的效率。

新器件的10,000件批量單價(jià)在0.30美元至1美元之間。