基礎(chǔ)電子產(chǎn)業(yè)：集中力量重點突破
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優(yōu)先發(fā)展TFT-LCD和PDP
面向數(shù)字化、高清晰化、平板化需求，優(yōu)先發(fā)展TFT-LCD和PDP，促進產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合與企業(yè)橫向聯(lián)合，擴大產(chǎn)業(yè)規(guī)模，培育自主創(chuàng)新能力；重點支持OLED、SED等新一代平板顯示器件的工藝和生產(chǎn)技術(shù)開發(fā)，力爭實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化；加快傳統(tǒng)彩管產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略轉(zhuǎn)移，積極發(fā)展高清晰度、短管頸等高端彩管產(chǎn)品。
支持建設(shè)第六代以上TFT-LCD面板生產(chǎn)線，加快國內(nèi)關(guān)鍵配套件
的開發(fā)與產(chǎn)業(yè)化進程，力爭在TFT-LCD用彩色濾光片、基板玻璃、偏光片、新型背光源、部分生產(chǎn)設(shè)備以及材料上取得突破；重點發(fā)展42英寸以上PDP顯示屏、驅(qū)動電路及模塊，掌握規(guī)模量產(chǎn)技術(shù)；積極組織OLED/PLED、SED器件和模塊的基礎(chǔ)技術(shù)研發(fā)；積極發(fā)展小尺寸手機主/副屏、PDA和MP3所用OLED顯示屏。重點發(fā)展數(shù)字高清晰度彩管及相關(guān)配套件、特種示波管。
元器件產(chǎn)業(yè)要突破關(guān)鍵技術(shù)
以片式化、微型化、集成化、高性能化、無害化為目標(biāo)，突破關(guān)鍵技術(shù)，調(diào)整產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，促進產(chǎn)業(yè)鏈上下游互動發(fā)展，著力培育優(yōu)勢骨干企業(yè)，推動產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)升級。重點發(fā)展以下產(chǎn)品：
(1)片式元器件。重點發(fā)展超小型片式多層陶瓷電容器，片式鋁電解電容器，片式鉭電容器，片式電感器，片式二、三極管，片式壓電陶瓷頻率器件，片式壓電石英晶體器件，集成無源元件等片式元器件。大力發(fā)展微波介質(zhì)器件、聲表面波(SAW)器件、高頻壓電陶瓷器件、石英晶體器件、抗電磁干擾(EMT/EMP)濾波器等產(chǎn)品，滿足我國通信和視聽產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn)需求。
(2)印刷電路板。研發(fā)高密度互連多層印刷電路板(HDI)、多層撓性板(FPC)和剛撓印刷電路板(R-FPC)、IC封裝載板、特種印刷電路板(背板、高頻微波板、金屬基板和厚銅箔板、埋置元件板、光電印制板和納米材料的印刷電路板)等產(chǎn)品。
(3)混合集成電路。提高引進吸收再創(chuàng)新能力，重點突破通信、汽車、醫(yī)療等用途的混合集成電路，逐步替代進口，盡快實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)起步。
(4)傳感器及敏感元器件。重點發(fā)展高精度和高可靠性汽車傳感器，環(huán)境安全檢測傳感器，新型電壓敏、熱敏、氣敏等敏感元器件，光纖傳感器，MEMS傳感器等。
(5)綠色電池。繼續(xù)支持發(fā)展大容量、高可靠性鋰離子電池和聚合物鋰離子電池；重點開發(fā)再生能源體系用低成本高效率太陽能電池(含薄膜太陽能電池)；積極開發(fā)鎳氫動力電池與鋰離子動力電池。
(6)新型電力電子器件。重點發(fā)展縱向雙擴散型場效應(yīng)管VDMOS，絕緣柵雙極型晶體管IGBT，靜電感應(yīng)晶體管系列SIT、BSIT、SITH，柵控晶閘管MCT，巨型雙極晶體管GTR等半導(dǎo)體電力電子器件。
(7)新型機電組件。重點研發(fā)無刷智能微特電機；小型化、高密度、高頻化、抗干擾多功能新型接插件等產(chǎn)品。
(8)光通信器件。重點發(fā)展高速光收/發(fā)模塊、光電耦合器、光有源器件、光電交換器件以及光無源器件和MEMS光開關(guān)等器件。
(9)高亮度發(fā)光二極管。重點研發(fā)四元系高亮度紅、橙、黃發(fā)光二極管，藍色、綠色、紫色、近紫外GaN、SiC發(fā)光二極管，構(gòu)建較為完整的LED產(chǎn)業(yè)鏈。
產(chǎn)用結(jié)合發(fā)展電子材料產(chǎn)業(yè)
加強國際合作，推動產(chǎn)用結(jié)合，突破部分關(guān)鍵技術(shù)，縮小電子材料與國外先進水平的差距。重點發(fā)展技術(shù)含量高、市場前景好的電子信息材料，提高國內(nèi)自主配套能力。注重環(huán)保型電子材料的開發(fā)。
(1)半導(dǎo)體材料。大力發(fā)展半導(dǎo)體級和太陽能級多晶硅材料；實現(xiàn)8-12英寸硅單晶及外延片的產(chǎn)業(yè)化；積極發(fā)展6英寸及以上SiGe、4～6英寸GaAs和InP等化合物半導(dǎo)體材料。重點支持面向國內(nèi)6英寸及以上集成電路生產(chǎn)線所用的248nm及以下光刻膠、引線框架、金絲、超凈高純試劑以及8英寸及以上濺射靶材等材料。
(2)新型顯示器件材料。積極發(fā)展TFT-LCD液晶材料、大尺寸基板玻璃、彩色濾光片、偏光板和背光模組等TFT-LCD材料；重點發(fā)展熒光粉、電極材料、介質(zhì)材料、障壁材料等PDP關(guān)鍵材料；主要發(fā)展有機發(fā)光材料、隔離柱材料、Cr/ITO基板玻璃等OLED材料。
(3)光電子材料。以高亮度發(fā)光材料為突破口，著重發(fā)展GaN、SiC等晶體及外延材料等。重點發(fā)展高功率激光晶體等材料。
(4)磁性材料。重點發(fā)展粘結(jié)NdFeB永磁材料、納米復(fù)合永磁材料、低溫共燒材料和納米軟磁材料、巨磁致伸縮材料、磁致冷材料、電磁屏蔽材料、磁記錄材料、高檔永磁軟磁鐵氧體材料等市場前景好的材料。
(5)電子功能陶瓷材料。重點研發(fā)和生產(chǎn)高性能高可靠片式電容器陶瓷材料、低溫共燒陶瓷(LTCC)材料及封裝陶瓷材料等。積極開展無鉛、無鎘等瓷料研究和生產(chǎn)，并開展納米基瓷料研究和生產(chǎn)。
(6)電子封裝材料。重點發(fā)展先進封裝模塑料(EMC)、先進的封裝復(fù)合材料、高精度引線框架材料、高性能聚合物封裝材料、高密度多層基板材料等材料。
電子專用設(shè)備要加大國際合作
加大國際合作，加強共性基礎(chǔ)技術(shù)研究，突破部分關(guān)鍵技術(shù)，縮小電子專用設(shè)備和儀器、工模具與國外先進水平的差距。以數(shù)字電視和新一代移動通信等產(chǎn)業(yè)發(fā)展為契機，推動產(chǎn)品工藝與設(shè)備儀器開發(fā)相結(jié)合，促進產(chǎn)用結(jié)合。加強政策引導(dǎo)，加大政府投入，大力發(fā)展集成電路、平板顯示器件等重大技術(shù)裝備，鼓勵開發(fā)量大面廣的新型元器
(1)半導(dǎo)體和集成電路專用設(shè)備。重點發(fā)展8-12英寸集成電路關(guān)鍵生產(chǎn)設(shè)備，包括光刻設(shè)備、刻蝕設(shè)備、CMP設(shè)備、薄膜生長設(shè)備、摻雜設(shè)備等芯片制造設(shè)備，鍵合設(shè)備、劃片機等封裝設(shè)備和專用模具以及材料制備設(shè)備。積極跟蹤化合物半導(dǎo)體技術(shù)，加快化合物半導(dǎo)體(GaAs、InP、GaN、SiC)制造設(shè)備的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。
(2)新型顯示器件專用設(shè)備。從TFT-LCD后工序設(shè)備入手，重點在TFT-LCD移載設(shè)備、清洗設(shè)備、摩擦線設(shè)備、COG設(shè)備和TFT薄膜沉積設(shè)備等方面形成配套能力；積極開展6代面板生產(chǎn)線陣列等前道工藝設(shè)備的研究開發(fā)，重點提高濕/干法刻蝕機、液晶灌注機等研制水平。加強高亮度LED關(guān)鍵制造設(shè)備、PDP關(guān)鍵設(shè)備和OLED生產(chǎn)設(shè)備和測試儀器的開發(fā)生產(chǎn)。
(3)整機裝聯(lián)和新型電子元器件專用設(shè)備。重點突破全自動精密貼片機、大尺寸全自動精密印刷機、全自動插裝機、自動光學(xué)檢測設(shè)備(AOI)以及適應(yīng)無鉛工藝的貼裝設(shè)備(如無鉛焊機等)等關(guān)鍵設(shè)備的研制。
(4)電子測量儀器。重點發(fā)展高速數(shù)?；旌闲盘柤呻娐窚y試系統(tǒng)、邊界掃描測試系統(tǒng)、SoC測試系統(tǒng)和新型顯示器件參數(shù)測量儀器、新型電子元器件參數(shù)測試儀器、印制電路板各類測試儀器、大功率器件測試儀器、片式元器件生產(chǎn)線在線測試儀器系列等。重點開發(fā)綜合測試儀、網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)測試設(shè)備、路測儀等新一代移動通信測量儀器和測試系統(tǒng)以及光通信測試儀器。以音視頻產(chǎn)品由模擬向數(shù)字技術(shù)過渡為契機，重點發(fā)展數(shù)字電視研究開發(fā)、生產(chǎn)用的調(diào)試測試設(shè)備儀器。積極發(fā)展高性能通用測試儀器。
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