全球的DRAM戰(zhàn)不可避免

據(jù)日本經(jīng)濟新聞報導，中國臺灣的力晶、茂德、南亞及華邦四家DRAM大廠，為與韓國Samsung及日本Elpida等抗爭，最近決定再投入100億美元進行擴產(chǎn)。

全球DRAM的現(xiàn)狀
2003年全球DRAM的銷售額為174.5億美元，占全球半導體消費的10.6%。2003年全球DRAM排名如表1所示。其中1~4名占據(jù)78.9%，反映DRAM市場的壟斷地位。

DRAM是“吞金獸”
自70年代初發(fā)明CMOS技術以來，半導體工業(yè)從理論上己無多大突破，所以就非常明顯的依賴制造技術。
在摩爾定律指引下，半導體工業(yè)的進步，除了技術及材料之外，主要體現(xiàn)在兩個方面：不斷地縮小特征尺寸及使用大直徑的硅片。目前特征尺寸已達90nm量產(chǎn)；12英寸硅片也已占硅片總產(chǎn)能的15%，但要真正成為主流，性價比與8英寸硅片相匹敵，尚需時日。不管如何，無論從存儲器的每一位成本或者CPU中每萬個晶體管的制造成本，幾乎還是每18~24個月降低一半，推動半導體工業(yè)的進展。目前還不能把半導體與鋼鐵、汽車等全球成熟工業(yè)相提并論。
半導體工業(yè)依賴制造技術，而半導體工業(yè)已經(jīng)發(fā)展到“設備固化了技術”的階段,即買到先進的設備，就能保證實現(xiàn)某類先進的工藝技術。因此在一定程度上誰能購買最先進的設備就能在工藝技術中領先。因此，排在全球首位的半導體廠，必須有資金實力，能持續(xù)不斷地投入，否則就很難始終保持領先。表2為2003~2004年全球半導體產(chǎn)業(yè)各地區(qū)資本支出成長與所占比例。
全球DRAM的市場競爭尤為劇烈，呈現(xiàn)壟斷化。DRAM有自身獨特的規(guī)律，在設計中矛盾并不突出，只要工藝技術過關，管理水平到位，主要矛盾就在于拼成本。就是說，在一個8英寸或者12英寸圓片上，能容納多少個256MDRAM的芯片。如Samsung及Infineon等已投入0.11微米的DRAM生產(chǎn)，因此0.13或者0.15微米的性價比肯定不行。另外，Samsung等正大力建12英寸新DRAM生產(chǎn)線。如果12英寸的技術及工藝水平能達到與8英寸同等，則從12英寸中產(chǎn)出的DRAM成本肯定更便宜。所以DRAM的競爭特點是采用最先進的工藝設備及盡可能地采用更大直徑的硅片。由此表明，在DRAM的競爭中，很大程度上取決于資金實力。縱觀近幾年在DRAM市場爭得首席的Samsung的動作，就能充分證實這個觀點。

0.11微米DRAM己成主流
目前三星的所有產(chǎn)能中，有48%的產(chǎn)出來自0.11微米制程，49%來自0.10微米制程，意即目前Samsung幾乎全數(shù)產(chǎn)出來自0.11微米以下制程。此外，Samsung也開始使用90納米制程技術試產(chǎn)NAND Flash，但尚未量產(chǎn)。
美光和英飛凌在第二季時，也都因為0.11微米制程轉換不順，影響產(chǎn)出，但目前2家業(yè)者0.11微米制程良率均已大幅提升，且都開始大量投片。美光現(xiàn)階段在標準型DRAM部分，約有70％的產(chǎn)出是以0.11微米制程為主，而英飛凌也有約70％產(chǎn)出是采用0.11微米制程。英飛凌預計到年底時0.11微米制程產(chǎn)出比重將提升至80％。
　隨著國際DRAM大廠走過0.11微米制程轉換障礙，目前情況可說是柳暗花明。但反觀中國臺灣DRAM業(yè)者在0.11微米制程進度，則相對落后不少，臺廠現(xiàn)階段主流制程仍停留在0.14/0.13微米制程，0.11微米制程良率雖正逐步提升，但仍處于苦苦追趕階段。表3為全球主要DRAM大廠采用0.11微米制程的發(fā)展現(xiàn)狀。
DRAM戰(zhàn)在亞洲
由于全球在DRAM技術方面差異不大，所以競爭的焦點轉向拼投資強度，即采用最先進的工藝設備，或者擴大12英寸硅片產(chǎn)能。在這樣的思維指導下，韓國，中國臺灣及日本在DRAM方面的競爭加劇。
目前韓國占先，其中Samsung一家就占全球DRAM的近1/3市場份額，而且穩(wěn)居第一，獨霸天下。日本原先為全球DRAM的老大，后被韓國超過之后，有點消沉。近幾年通過改組，分別成立了Renesas及Elpida后稍有起色。目前方針非常清楚，專注高檔DRAM產(chǎn)品，將大部分低檔產(chǎn)品分包給中國臺灣及中國大陸。中國臺灣在DRAM方面是老三。然而由于中國臺灣在資金方面充裕，加上其總想在IT領域與韓國爭個高低。所以近期正在DRAM方面展開反擊戰(zhàn)，形勢咄咄逼人。
臺灣廠商投資手筆亦是空前絕后，其中力晶投資額預計為21億美元，茂德投資金額約達45億美元，南亞科則預計投資約22億美元，華邦投資金額約15億美元，總量達103億美元。
至于一直以來對投資始終領先的Samsung，更是進一步加碼投資。該公司在2004年7月將2004年度的設備投資額調(diào)高到8.94兆韓元(約76.8億美元)，而增加的1兆韓元預算，多半用來增產(chǎn)DRAM。預料2005年該公司的投資腳步仍不會中斷。
而日本僅存的DRAM供應商Elpida，在2004年6月中宣布要在3年內(nèi)投資5,000億日元，打造全球最大的DRAM生產(chǎn)據(jù)點，月產(chǎn)能達6萬片。Elpida預言，5年內(nèi)全球DARM市場版圖，僅將由2~3家大廠均分天下。

Hynix與STMicron聯(lián)手在中國建DRAM生產(chǎn)廠
據(jù)報道，韓國Hynix欲聯(lián)手STMicron在中國建DRAM生產(chǎn)廠。這是中國大陸第一個DRAM生產(chǎn)工廠，之前只是SMIC等代工做DRAM芯片。從披露的消息看，總投資達20億美元，其中Hynix和STMicron各出資5億美元，而從中國銀行系統(tǒng)貸款10億美元。計劃先建一個8英寸廠，然后按需再建一個12英寸廠。
敢于第一次嘗試在中國大陸土地上建DRAM廠，需要有一定的魄力。眾所周知，全球DRAM呈壟斷態(tài)勢，韓國的Samsung有點Intel的霸氣。加上日本及中國臺灣最近都正在加大DRAM的投入，而且投資手筆之大，令人驚奇不己。在這樣的背景下，Hynix自身技術水準也僅二流，而且也缺乏資金。如果僅依靠中國政府的資金支持，開初或許還能咬咬牙，之后要連續(xù)高強度的支持，恐怕是一個問號。孰兇孰吉，將拭目以待。

結語
全球半導體工業(yè)的發(fā)展在創(chuàng)新方面(如fabless公司等)，毫無疑問，美國領先。在近600家可以排得上名的公司之中，美國占475家；然而在DRAM生產(chǎn)中，美國僅保留一家，Micron全球第二。所以全球DRAM的戰(zhàn)事，不可避免的在亞洲將首先興起。戰(zhàn)事的結果決定于誰敢于冒更大的風險，拼投資強度。從長遠發(fā)展趨勢看，象DRAM這種制造技術優(yōu)先的產(chǎn)品，將來肯定是韓國及中國臺灣的天下。中國欲聯(lián)手Hynix及STMicron進軍DRAM市場，形勢比較嚴峻。因為DRAM是富人俱樂部。