ST推出2位每單元的256兆位NOR 3G手機(jī)閃存

    2005年2月22日世界最大的多應(yīng)用NOR閃存芯片供應(yīng)商之一的意法半導(dǎo)體公司今天公布一個256兆位的NOR閃存芯片，新產(chǎn)品采用經(jīng)過驗(yàn)證的2位每單元存儲結(jié)構(gòu)，能夠在小尺寸芯片上提高存儲密度。ST的 M30L0R8000x0是2位每單元產(chǎn)品系列的第一款產(chǎn)品，這個產(chǎn)品系列還包括一個128兆位的IC，目前512兆位的芯片在開發(fā)之中。
新的256兆位閃存芯片為高性能代碼執(zhí)行和數(shù)據(jù)存儲專門設(shè)計，目標(biāo)應(yīng)用是第三代(3G)手機(jī)市場。在3G市場上，復(fù)雜程度越來越高的應(yīng)用和多媒體功能要求在一個物理面積很小的芯片上能夠提供巨大的存儲容量，而2位每單元技術(shù)將硅存儲陣列的容量擴(kuò)大一倍，從而大幅度縮小了芯片的尺寸和封裝。
    M30L0R8000x0采用ST最先進(jìn)的0.13微米制造技術(shù)，并采用尺寸緊湊的片級8x10mm TFBGA（薄型細(xì)節(jié)距焊球網(wǎng)格陣列）封裝。新器件的工作電源電壓1.8V（還有輸入輸出3V的產(chǎn)品），系統(tǒng)功耗很低，兼容最新的手機(jī)設(shè)計。ST是一個大型的存儲器供應(yīng)商，特別是在1.8V 手機(jī)NOR閃存市場上實(shí)力雄厚，新的芯片系列將會補(bǔ)充ST的移動應(yīng)用產(chǎn)品，使本來產(chǎn)品種類已經(jīng)很齊全的產(chǎn)品變得更加完整。
    ST還是多片封裝MCP的知名供應(yīng)商，MCP是在同一封裝內(nèi)集成不同類型的存儲器，以提高產(chǎn)品的可靠性，節(jié)省制造商的電路板空間。在可預(yù)見的未來，新的芯片預(yù)計采用MCP的方法集成PSRAM 和 LPSDRAM芯片，以滿足第三代手機(jī)的需求。
    新器件兼容上一代的1位每單元產(chǎn)品，并在片內(nèi)執(zhí)行多電平單元結(jié)構(gòu)所需的處理功能。新產(chǎn)品采用非對稱塊存儲結(jié)構(gòu)，分為16兆位的存儲體和1個靈活的塊鎖定機(jī)制；其中15個存儲體中每個包含16個主塊，每塊由64千字組成；而1個參數(shù)體則包含15個主塊加上4個參數(shù)塊，這些參數(shù)塊或者位于存儲地址空間的頂部(M30L0R8000T0)或底部(M30L0R8000B0)。
    在異步頁讀取模式下，連續(xù)字讀取時間20ns；而在同步突發(fā)讀取模式下，每時鐘周期數(shù)據(jù)輸出頻率高達(dá)66MHz；突發(fā)讀取可以跨躍體的界限操作，具有讀取暫停和繼續(xù)功能。M30L0R8000x0的多體存儲結(jié)構(gòu)支持讀寫同步，即在讀取一個存儲體的同時，可以擦寫另一個存儲體，讀寫之間沒有任何延時。
    每個塊可以單獨(dú)擦除；為了在另一個塊上進(jìn)行讀寫操作，可以暫停在當(dāng)前塊上的擦除操作，等讀寫完成后再繼續(xù)擦除操作?？梢詴和Ｔ诋?dāng)前塊上的寫操作，以便在其它任何一個存儲單元上讀取數(shù)據(jù)。每塊可以讀寫100,000次以上，“緩存增強(qiáng)型出廠編程” (BEFP)提供高速編程功能，采用9V快速編程電源電壓，每字典型編程時間10微秒。
    存儲器的指令集兼容業(yè)內(nèi)廣泛認(rèn)可的JEDEC通用閃存接口（CFI）協(xié)議，從而確保不同類型的閃存之間相互兼容。安全性能包括一個出廠前編程的64位的唯一設(shè)備序列號和一個2112位用戶編程OTP（一次性編程）單元。為降低移動應(yīng)用的功耗，新產(chǎn)品還提供一個自動待機(jī)模式，在異步讀取期間，當(dāng)總線處于非活動狀態(tài)時，它可以自動切換到待機(jī)模式。