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          DRAM內(nèi)存可能被淘汰 PRAM才是正道

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          作者: 時(shí)間:2007-04-19 來(lái)源:CCID 收藏

            4月19日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,英特爾日前表示,其所開發(fā)的相變隨機(jī)存取)有潛力取代當(dāng)前的(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取)。

            在日前于北京召開的“英特爾信息技術(shù)峰會(huì)(IDF)”上,英特爾首席技術(shù)官Justin Rattner展示了新型內(nèi)存,并表示,有潛力取代當(dāng)前的。

            Rattner還稱,英特爾開發(fā)PRAM已經(jīng)有十年的歷史了。據(jù)悉,PRAM是一種非易失性的內(nèi)存產(chǎn)品,它集內(nèi)存的高速存取,以及閃存在關(guān)閉電源后保留數(shù)據(jù)的特性為一體,因此被業(yè)界視為未來(lái)DRAM和閃存的替代品。

            據(jù)英特爾稱,PRAM的讀寫速度相當(dāng)于閃存的1000多倍,而能耗只有當(dāng)前閃存的1/2。目前,英特爾與意法半導(dǎo)體攜手開發(fā)這種PRAM產(chǎn)品。



          關(guān)鍵詞: DRAM PRAM 存儲(chǔ)器

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