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          rSRAM消除“軟錯誤”對電子系統(tǒng)的威脅

          作者:eaw 時間:2005-04-28 來源:eaw 收藏
          意法半導(dǎo)體()公布的一項新技術(shù)rSRAM,完全可以消除近年來不斷困擾電子設(shè)備制造商的 “軟錯誤”難題。由于該技術(shù)對標(biāo)準(zhǔn)SRAM存儲單元的改進方法是在單元結(jié)構(gòu)內(nèi)以垂直方式增裝附加電容器,因此,芯片面積以及制造成本都不會受到較大的影響。www.st.com

          關(guān)鍵詞: ST 存儲器

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