IR推出兩款新型DirectFET MOSFET芯片組

世界功率管理技術(shù)領(lǐng)袖國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）近日推出兩款新型的30V DirectFET MOSFET同步降壓轉(zhuǎn)換器芯片組。新品適用于安裝了最新款I(lǐng)ntel和AMD處理器的筆記本電腦設(shè)計(jì)，滿足其更小體積、更高效率和良好散熱的要求。

IR中國及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國富指出，全新30V芯片組能在整個(gè)額定負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高效率。由于封裝體積更小，只需單個(gè)控制和單個(gè)同步MOSFET便可在大電流下工作，因此功率密度高于傳統(tǒng)封裝。也就是說，這些芯片組具有更好的熱性能，面積也更小，最適用于體積超小、需要提高電池使用效率的移動(dòng)計(jì)算應(yīng)用。

新品的每一款芯片組都包含一個(gè)控制MOSFET和一個(gè)同步MOSFET，而每個(gè)器件都經(jīng)過特別設(shè)計(jì)，在同步DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器電路中發(fā)揮最佳性能?？刂芃OSFET具有更低的開關(guān)損耗，同步MOSFET的傳導(dǎo)損耗更低（低導(dǎo)通電阻），逆向恢復(fù)電荷也很低。

其中一款芯片組包含IRF6617控制場效應(yīng)管和IRF6611同步場效應(yīng)管，能在高密度、空間有限的電路板中達(dá)到最佳的性能，每個(gè)功率通道可達(dá)20A。另一款芯片組則包含IRF6637控制場效應(yīng)管和IRF6678同步場效應(yīng)管，適用于每個(gè)功率通道高于20A的應(yīng)用，可有效提升熱性能。

IRF6617控制場效應(yīng)管采用小罐（ST）DirectFET封裝，IRF6637控制場效應(yīng)管則采用中罐（MP）DirectFET封裝。為了方便修改現(xiàn)有設(shè)計(jì)，兩款同步場效應(yīng)管都采用中罐（MX）DirectFET封裝，可以輕松地將IRF6611替換為IRF6678，滿足更大電流和散熱性能的需求。

新的芯片組有助于電路設(shè)計(jì)人員縮減高頻、大電流DC-DC轉(zhuǎn)換器的體積。這些轉(zhuǎn)換器適用于高檔電腦和服務(wù)器，以及先進(jìn)的電信和數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)。

IR的DirectFET MOSFET封裝已經(jīng)獲得了專利，其中匯集了一系列標(biāo)準(zhǔn)塑料分立封裝不具備的設(shè)計(jì)優(yōu)點(diǎn)。金屬腔構(gòu)造能發(fā)揮雙面冷卻功能，把用以驅(qū)動(dòng)先進(jìn)微處理器的高頻DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器的電流處理效率增加一倍。此外，采用DirectFET封裝的器件均不含鉛和溴化物。

芯片組的基本規(guī)格如下：

產(chǎn)品編號(hào)    功能    封裝    BVDSS (V)    10V下最大RDS(on) (mOhm)    4.5V下最大RDS(on) (mOhm)    VGS
(V)    Tc=25C下的ID (A)    典型QG (nC)    典型QGD  (nC)
IRF6678
同步場效應(yīng)管    DirectFET
MX    30    2.2    3.0    20    150    43    15
IRF6611
同步場效應(yīng)管    DirectFET
MX    30    2.6    3.4    20    150    37    12.5
IRF6637
控制場效應(yīng)管    DirectFET
MP    30    7.7    10.8    20    59    11    4.0
IRF6617
控制場效應(yīng)管    DirectFET
ST    30    8.1    10.3    20    55    11    4.0