飛兆推出互補(bǔ)型40V MOSFET器件FDD8424H
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出互補(bǔ)型40V MOSFET器件FDD8424H,采用雙DPAK封裝,提供業(yè)界領(lǐng)先的散熱能力,有助于提高系統(tǒng)可靠性、減小線路板空間及降低系統(tǒng)總體成本。FDD8424H專為半橋和全橋逆變器設(shè)計(jì)而優(yōu)化,是液晶電視、液晶顯示器所用背光單元 (BLU) 以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電燈驅(qū)動(dòng)的理想選擇。與采用8引腳直插和雙SOIC (SO8) 封裝的替代解決方案相比,雙DPAK封裝FDD8424H的熱阻抗分別是其五分之一及十分之一。此外,F(xiàn)DD8424H在單一封裝中集成了一個(gè)P溝道高端MOSFET和一個(gè)N溝道低端MOSFET,因而容許器件內(nèi)共漏連接,從而簡化電路板布局并縮短設(shè)計(jì)時(shí)間。
飛兆半導(dǎo)體通信和消費(fèi)產(chǎn)品市務(wù)經(jīng)理Mike Speed 表示:“飛兆半導(dǎo)體的FDD8424H使到顯示器設(shè)計(jì)人員能夠?qū)δ孀兤髟O(shè)計(jì)的占位面積和熱性能進(jìn)行優(yōu)化。相比傳統(tǒng)的SO8 封裝解決方案,雙DPAK封裝中優(yōu)化的導(dǎo)通阻抗RDS(ON)和柵極電荷 (Qg) 增強(qiáng)了開關(guān)性能,因此能降低熱耗及提高效率。而且,在驅(qū)動(dòng)8個(gè)CCFL燈的背光逆變器中,F(xiàn)DD8424H可使外殼溫度降低12%?!?/P>
FDD8424H的主要特性包括:
–優(yōu)化RDS(ON)和柵極電荷 (Qg) 的組合,提供出色的開關(guān)性能
–N溝道提供4.1C/W的同類最小熱阻抗 (θJC),P溝道則為3.5 C/W
–單一封裝中集成半橋解決方案,能減小器件占位面積及降低系統(tǒng)總體成本
–P溝道和N溝道MOSFET的共漏連接集成,能簡化線路板布局
這種無鉛產(chǎn)品能達(dá)到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C標(biāo)準(zhǔn)要求,并符合現(xiàn)已生效的歐盟標(biāo)準(zhǔn)。
評(píng)論