三大DRAM廠商瘋狂擴產(chǎn) 致內(nèi)存價崩潰
據(jù)業(yè)界消息稱,由于美光科技公司(Micron Technology, Inc.)、爾必達(dá)(ELPIDA MEMORY) 和海力士半導(dǎo)體(Hynix Semiconductor Inc.)等三家內(nèi)存廠商提高了DRAM的產(chǎn)量,因此DRAM內(nèi)存價格近期出現(xiàn)大幅下跌。
據(jù)悉,這三家廠商紛紛調(diào)整調(diào)整產(chǎn)能,將之前生產(chǎn)其它類型產(chǎn)品的生產(chǎn)線全部轉(zhuǎn)而生產(chǎn)DRAM內(nèi)存。據(jù)預(yù)測,07年第二季度受上述三家廠商產(chǎn)能調(diào)節(jié)影響,全球DRAM內(nèi)存產(chǎn)量將增長20-30%。
美光科技由于預(yù)測07年受手機市場帶動,CIS(CMOS圖像傳感器)需求會有大規(guī)模上升,因此調(diào)整很大部分產(chǎn)能用于生產(chǎn)CIS,但實際上市場需求并未達(dá)到預(yù)期。
爾必達(dá)之前預(yù)測2007年消費電子市場將會出現(xiàn)迅猛增長,但由于幾個月來消費電子類產(chǎn)品一直并沒有大起色,因此也造成了爾必達(dá)為消費電子類產(chǎn)品制造的DRAM內(nèi)存庫存積壓嚴(yán)重,故爾必達(dá)重新調(diào)整了產(chǎn)能,轉(zhuǎn)而生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)DRAM產(chǎn)品。
由于在NAND閃存制造工藝上比三星和東芝落后,因此海力士半導(dǎo)體決定增大DRAM內(nèi)存產(chǎn)量。在數(shù)月后NAND閃存制造工藝趕上競爭對手后,公司將重新調(diào)整產(chǎn)能生產(chǎn)NAND閃存。
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