IR推出兩款新型DirectFET MOSFET芯片組

世界功率管理技術(shù)領(lǐng)袖國(guó)際整流器公司（International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR）近日推出兩款新型的30V DirectFET MOSFET同步降壓轉(zhuǎn)換器芯片組。新品適用于安裝了最新款I(lǐng)ntel和AMD處理器的筆記本電腦設(shè)計(jì)，滿足其更小體積、更高效率和良好散熱的要求。

IR中國(guó)及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國(guó)富指出，全新30V芯片組能在整個(gè)額定負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高效率。由于封裝體積更小，只需單個(gè)控制和單個(gè)同步MOSFET便可在大電流下工作，因此功率密度高于傳統(tǒng)封裝。也就是說(shuō)，這些芯片組具有更好的熱性能，面積也更小，最適用于體積超小、需要提高電池使用效率的移動(dòng)計(jì)算應(yīng)用。

新品的每一款芯片組都包含一個(gè)控制MOSFET和一個(gè)同步MOSFET，而每個(gè)器件都經(jīng)過(guò)特別設(shè)計(jì)，在同步DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器電路中發(fā)揮最佳性能?？刂芃OSFET具有更低的開(kāi)關(guān)損耗，同步MOSFET的傳導(dǎo)損耗更低（低導(dǎo)通電阻），逆向恢復(fù)電荷也很低。

其中一款芯片組包含IRF6617控制場(chǎng)效應(yīng)管和IRF6611同步場(chǎng)效應(yīng)管，能在高密度、空間有限的電路板中達(dá)到最佳的性能，每個(gè)功率通道可達(dá)20A。另一款芯片組則包含IRF6637控制場(chǎng)效應(yīng)管和IRF6678同步場(chǎng)效應(yīng)管，適用于每個(gè)功率通道高于20A的應(yīng)用，可有效提升熱性能。

IRF6617控制場(chǎng)效應(yīng)管采用小罐（ST）DirectFET封裝，IRF6637控制場(chǎng)效應(yīng)管則采用中罐（MP）DirectFET封裝。為了方便修改現(xiàn)有設(shè)計(jì)，兩款同步場(chǎng)效應(yīng)管都采用中罐（MX）DirectFET封裝，可以輕松地將IRF6611替換為IRF6678，滿足更大電流和散熱性能的需求。

新的芯片組有助于電路設(shè)計(jì)人員縮減高頻、大電流DC-DC轉(zhuǎn)換器的體積。這些轉(zhuǎn)換器適用于高檔電腦和服務(wù)器，以及先進(jìn)的電信和數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)。

IR的DirectFET MOSFET封裝已經(jīng)獲得了專利，其中匯集了一系列標(biāo)準(zhǔn)塑料分立封裝不具備的設(shè)計(jì)優(yōu)點(diǎn)。金屬腔構(gòu)造能發(fā)揮雙面冷卻功能，把用以驅(qū)動(dòng)先進(jìn)微處理器的高頻DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器的電流處理效率增加一倍。此外，采用DirectFET封裝的器件均不含鉛和溴化物。

芯片組的基本規(guī)格如下：

產(chǎn)品編號(hào) 功能 封裝 BVDSS (V) 10V下最大RDS(on) (mOhm) 4.5V下最大RDS(on) (mOhm) VGS(V) Tc=25